4500VFS IGBT終端設計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、電力電子器件是電力電子技術的基礎和使其發(fā)展的強大動力，每一種新型電力電子系統(tǒng)的誕生都是以一代新功率器件的問世為契機。IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為第三代電力電子的產品的推出為新一代電力電子系統(tǒng)的誕生奠定了堅實的基礎。在高壓IGBT研究領域，我國和國外差距很大，究其因在于核心技術等都被國外大公司所掌握。在02專項的牽引下，進行4500V IGBT的研制，文中主要是圍繞著該工作進行闡述。
　　1、首先分析影響器件擊穿電壓的幾個主要因

2、素，包括：平面工藝PN結擴散終端、界面電荷和分凝系數。同時，根據國內現有工藝生產的實際特點，決定采用場板和場限環(huán)組合的保護技術作為設計的基本框架。其次，借助仿真器，根據器件整體設計要求，確定終端結構的一些基本參數（環(huán)間距、環(huán)寬度、場氧化層厚度、襯底濃度等），在確定基本參數情況下，從電壓和電場分布上對該結構進行優(yōu)化。利用定點優(yōu)化的方法，通過對比分析，確定最終的參數，所設計終端結構的模擬結果達到5862V。
　　2、通過工藝設計、結構

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