IGBT的分析與設(shè)計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、絕緣柵雙極晶體管(Insulate Gate Bipolar Transistor, IGBT)是一種由場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極型功率晶體管(BJT)結(jié)合而成的達林頓結(jié)構(gòu)。它既具有MOSFET的輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動電路簡單、開關(guān)速度高的優(yōu)點，又具有BJT的電流密度大、飽和壓降低、電流處理能力強的優(yōu)點。但是，目前國內(nèi)還沒有商品化的IGBT投入市場，國內(nèi)市場需求的器件主要依賴進口，因此，開發(fā)和研制具有自主知識產(chǎn)權(quán)的高性能的

2、IGBT迫在眉睫。
　　本課題在了解IGBT結(jié)構(gòu)和工作原理的基礎(chǔ)上，從理論上分析了器件結(jié)構(gòu)參數(shù)和器件主要性能之間的關(guān)系，由此總結(jié)出IGBT主要參數(shù)（閾值電壓、正向擊穿電壓及關(guān)斷時間）的設(shè)計依據(jù)，并依據(jù)此理論完成了IGBT結(jié)構(gòu)參數(shù)設(shè)計。有源區(qū)結(jié)構(gòu)選用條狀元胞結(jié)構(gòu)；柵極選用平面柵結(jié)構(gòu)；縱向結(jié)構(gòu)選用穿通型結(jié)構(gòu)。依據(jù)所設(shè)計的結(jié)構(gòu)參數(shù)，設(shè)計工藝流程，選取工藝條件和工藝參數(shù)，使用工藝模擬軟件建立IGBT工藝模型。
　　閾值電壓、正向擊穿

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