IGBT應(yīng)用特性測(cè)試與分析.pdf

1、獨(dú)創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學(xué)位論文是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作和取得的研究成果，除了文中特別加以標(biāo)注和致謝之處外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫過(guò)的研究成果，也不包含為獲得丞洼王些太堂或其他教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書而使用過(guò)的材料。與我一同工作的同志對(duì)本研究所做的任何貢獻(xiàn)均已在論文中作了明確的說(shuō)明并表示了謝意。學(xué)位論文作者簽名：f司矗蠡找簽字日期：砂侈年弓月歹同學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本學(xué)位論文作者完全了解丞洼王些太堂有關(guān)保留、使用學(xué)位論

2、文的規(guī)定。特授權(quán)丞洼王些太堂可以將學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)，i亍檢索，并采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存、匯編以供查閱和借閱。同意學(xué)校向國(guó)家有關(guān)部門或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和磁盤。(保密的學(xué)位論文在解密后適用本授權(quán)說(shuō)明)一躲：習(xí)必武鈰虢撇簽字日期：沙f弓年弓月廠日簽字日期挪年鄉(xiāng)矽曰摘要絕緣柵雙極晶體管(InsulateGateBipolarTrallsistor，IGBT)是一種由場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極型功率

3、晶體管(BJT)結(jié)合而成的達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，是一種被得到廣泛應(yīng)用的功率電子器件。為了對(duì)IGBT的應(yīng)用特性進(jìn)行測(cè)試和分析，設(shè)計(jì)并開發(fā)了一套IGBT測(cè)試和分析的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括IGBT逆變焊機(jī)平臺(tái)，數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)以及數(shù)據(jù)處理和分析模塊。選擇了基于DsP控制的IGBT逆變焊機(jī)作為測(cè)試平臺(tái)，對(duì)國(guó)內(nèi)和國(guó)外不同的IGBT模塊應(yīng)用進(jìn)行分析和比較。在不同的工況下，分別采集各個(gè)模塊在工作過(guò)程中的技術(shù)參數(shù)的數(shù)據(jù)，根據(jù)采集的數(shù)據(jù)對(duì)各個(gè)模塊的工作特性進(jìn)行分析和比較，包

4、括IGBT導(dǎo)通過(guò)程的時(shí)間和導(dǎo)通過(guò)程損耗，以及關(guān)斷過(guò)程的時(shí)間和關(guān)斷過(guò)程的損耗。由于測(cè)試系統(tǒng)會(huì)受到系統(tǒng)電路的元器件干擾，同時(shí)系統(tǒng)電源的不穩(wěn)定也會(huì)對(duì)數(shù)據(jù)測(cè)量的結(jié)果造成影響。此外系統(tǒng)外部的雜波也會(huì)測(cè)量結(jié)果產(chǎn)生一定的誤差。所以采用數(shù)據(jù)處理的相關(guān)方法對(duì)采集的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，確保采集的數(shù)據(jù)是準(zhǔn)確的，保證結(jié)果的準(zhǔn)確性。在線測(cè)試了歐派克公式的BSMl50GBl20dn2模塊和宏微科技公司MMGl00s12086C和MMG75s12086C兩個(gè)模塊，進(jìn)行了相