IGBT應用特性測試與分析.pdf

1、獨創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學位論文是本人在導師指導下進行的研究工作和取得的研究成果，除了文中特別加以標注和致謝之處外，論文中不包含其他人已經發(fā)表或撰寫過的研究成果，也不包含為獲得丞洼王些太堂或其他教育機構的學位或證書而使用過的材料。與我一同工作的同志對本研究所做的任何貢獻均已在論文中作了明確的說明并表示了謝意。學位論文作者簽名：f司矗蠡找簽字日期：砂侈年弓月歹同學位論文版權使用授權書本學位論文作者完全了解丞洼王些太堂有關保留、使用學位論

2、文的規(guī)定。特授權丞洼王些太堂可以將學位論文的全部或部分內容編入有關數據庫進，i亍檢索，并采用影印、縮印或掃描等復制手段保存、匯編以供查閱和借閱。同意學校向國家有關部門或機構送交論文的復印件和磁盤。(保密的學位論文在解密后適用本授權說明)一躲：習必武鈰虢撇簽字日期：沙f弓年弓月廠日簽字日期挪年鄉(xiāng)矽曰摘要絕緣柵雙極晶體管(InsulateGateBipolarTrallsistor，IGBT)是一種由場效應晶體管(MOSFET)和雙極型功率

3、晶體管(BJT)結合而成的達林頓結構，是一種被得到廣泛應用的功率電子器件。為了對IGBT的應用特性進行測試和分析，設計并開發(fā)了一套IGBT測試和分析的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括IGBT逆變焊機平臺，數據采集系統(tǒng)以及數據處理和分析模塊。選擇了基于DsP控制的IGBT逆變焊機作為測試平臺，對國內和國外不同的IGBT模塊應用進行分析和比較。在不同的工況下，分別采集各個模塊在工作過程中的技術參數的數據，根據采集的數據對各個模塊的工作特性進行分析和比較，包

4、括IGBT導通過程的時間和導通過程損耗，以及關斷過程的時間和關斷過程的損耗。由于測試系統(tǒng)會受到系統(tǒng)電路的元器件干擾，同時系統(tǒng)電源的不穩(wěn)定也會對數據測量的結果造成影響。此外系統(tǒng)外部的雜波也會測量結果產生一定的誤差。所以采用數據處理的相關方法對采集的數據進行分析，確保采集的數據是準確的，保證結果的準確性。在線測試了歐派克公式的BSMl50GBl20dn2模塊和宏微科技公司MMGl00s12086C和MMG75s12086C兩個模塊，進行了相