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文檔簡(jiǎn)介
1、隨著無鉛表面貼裝(SurfaceMountReflow,SMT)工藝的實(shí)施以及球柵陣列(BallGridArray,BGA)封裝尺寸的逐步小型化,SMT工藝中產(chǎn)生的回流翹曲變形對(duì)于互連性能或質(zhì)量表現(xiàn)出更大的影響。近年來,雖然JEDEC規(guī)范對(duì)于回流翹曲的測(cè)量及BGA器件的相關(guān)要求都已制定標(biāo)準(zhǔn),然而考慮因素有限,使得在不同SMT工藝或封裝設(shè)計(jì)條件下回流翹曲所引發(fā)的風(fēng)險(xiǎn)仍無法被準(zhǔn)確預(yù)知。
因而本論文在JEDEC標(biāo)準(zhǔn)基礎(chǔ)之上,首先針對(duì)
2、IntelI3、I5、I7三種系列的不同尺寸及結(jié)構(gòu)的球柵陣列(FlipChipBallGridArray,FCBGA),通過陰影云紋(shadowmoiré)實(shí)驗(yàn)得出尺寸相關(guān)因素對(duì)于芯片翹曲變形的影響,并通過ANSYS12.0建立并修正得與實(shí)驗(yàn)結(jié)果趨勢(shì)一致的有限元模型。之后針對(duì)相同種類的I5FCBGA,研究并總結(jié)出不同升溫速率條件下其變形行為及規(guī)律,同時(shí)在有限元模擬過程中進(jìn)一步明確了所建立模型的適用性及局限性。
最后本論文針對(duì)
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