寬帶隙調(diào)控半導(dǎo)體納米線的生長(zhǎng)和光學(xué)表征.pdf

1、帶隙作為半導(dǎo)體材料的重要參數(shù)之一，直接決定材料的吸收和發(fā)光光譜。通過(guò)進(jìn)行帶隙調(diào)控可以拓寬半導(dǎo)體納米材料在光電子器件中的應(yīng)用，實(shí)現(xiàn)更多新的功能。本文提出兩種生長(zhǎng)單根帶隙梯度過(guò)渡半導(dǎo)體納米線的方法，實(shí)現(xiàn)了對(duì)單根納米線的寬帶隙調(diào)控。
　　 本文第一部分提出了在氣-液-固(VLS)生長(zhǎng)過(guò)程中引入移動(dòng)源的方法，首次成功制備了單根帶隙梯度過(guò)渡的硫硒化鎘納米線。該納米線的直徑范圍從100nm到1000 nm，長(zhǎng)度可以到500μm，組分從一端為

2、純硫化鎘漸變到另一端純硒化鎘，對(duì)應(yīng)的帶隙(熒光波長(zhǎng))從2.44 eV(507 nm，綠光)漸變到1.74 eV(710nm，紅光)。透射電鏡數(shù)據(jù)表明，該納米線具有非常好的結(jié)晶質(zhì)量，而且晶格間距沿長(zhǎng)度方向梯度過(guò)渡。
　　 在第一部分工作獲得成功的基礎(chǔ)上，本文第二部分進(jìn)一步提出了在VLS過(guò)程中移動(dòng)襯底的新方法，成功合成了單根超寬帶隙梯度過(guò)渡的硫硒化鎘鋅納米線。該納米線的直徑約為100 nm，長(zhǎng)度可以到30μm，晶格間距也是沿長(zhǎng)度方向