已閱讀1頁，還剩56頁未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀
版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、SiC是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料、第三代半導(dǎo)體材料的代表,是制造高溫、高頻、大功率、抗輻照等半導(dǎo)體器件的優(yōu)選材料,又被稱為極端電子學(xué)材料,在微電子學(xué)領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景.該論文提出了在藍(lán)寶石上引入一層緩沖層材料形成復(fù)合襯底,采用常壓化學(xué)氣相淀積(APCVD)方法在其上異質(zhì)外延生長SiC薄膜的技術(shù),分析了CVD法生長SiC的物理化學(xué)過程,通過實(shí)驗(yàn)提出SiC薄膜生長的工藝條件,并通過X射線衍射(XRD)、X射線光電子能譜(XPS)、光致發(fā)光譜
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 藍(lán)寶石襯底異質(zhì)外延碳化硅薄膜材料技術(shù)研究.pdf
- 碳化硅薄膜的外延生長、結(jié)構(gòu)表征及石墨烯的制備.pdf
- 碳化硅-中國半導(dǎo)體分立器件分會
- 用升華法在硅襯底上外延生長β碳化硅薄膜.pdf
- 碳化硅外延材料生長及表征技術(shù)研究.pdf
- 納米碳化硅薄膜和納米碳化硅晶須的光電性質(zhì)研究.pdf
- 寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅器件的研究.pdf
- 有機(jī)半導(dǎo)體薄膜生長及其性質(zhì)研究.pdf
- 寬帶隙半導(dǎo)體材料光學(xué)性質(zhì)研究.pdf
- 半導(dǎo)體和氧化物表面石墨烯的生長和結(jié)構(gòu)表征及錳摻雜碳化硅稀磁半導(dǎo)體研究.pdf
- 寬帶隙半導(dǎo)體ZnO(及SiC)薄膜的制備及其物性研究.pdf
- Fe基寬帶隙Ⅱ-Ⅵ族稀磁半導(dǎo)體及FeSe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的生長及特性研究.pdf
- 碳化硅外延石墨烯方法生長設(shè)備研制與工藝探索.pdf
- 寬帶隙半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)光學(xué)微腔的制備及其光學(xué)性質(zhì)研究.pdf
- 碳化硅和稀土摻雜碳化硅納米結(jié)構(gòu)的制備及其性能研究.pdf
- 碳化硅外延材料生長溫度場模擬和表征技術(shù)研究.pdf
- 碳化硅增強(qiáng)聚酰亞胺復(fù)合薄膜制備及其碳化研究.pdf
- 寬帶隙半導(dǎo)體AlN材料制備及異質(zhì)結(jié)特性研究.pdf
- 異質(zhì)外延生長紅熒烯薄膜及性質(zhì)的研究.pdf
- 碳化硅晶體載流子濃度的分析及多孔碳化硅的制備.pdf
評論
0/150
提交評論