用升華法在硅襯底上外延生長β碳化硅薄膜.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、碳化硅是一種新型半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬、載流子飽和速度高、臨界擊穿電場強(qiáng)度高、熱導(dǎo)率高等特點，可用來制作高溫、高頻、大功率器件，但材料制備難度大，β碳化硅更是如此。目前碳化硅主要有三種制備方法:升華法;液相生長法;化學(xué)氣相淀積法。升華法在晶體尺寸和材料品質(zhì)方面有局限性，液相生長法和化學(xué)氣相淀積法存在生長速率低等其它問題。因此本文考慮借鑒升華法和化學(xué)氣相淀積法的部分工藝，作為一種新的嘗試，用升華法在硅襯底上外延生長β碳化硅薄膜。
　

2、　由于作為生長源的碳化硅粉升華分解溫度至少要達(dá)到1800℃以上，而硅襯底的熔點只有1420℃，因此在原有碳化硅晶體生長設(shè)備的基礎(chǔ)上，重新設(shè)計制作了坩堝組件。該組件一方面可保證源-襯距較小時碳化硅粉和硅襯底溫度均可達(dá)到預(yù)定的溫度值，即構(gòu)造了大的溫度梯度，另一方面提供了輔助碳源。
　　樣品制備分為三個工藝步驟:一是碳化硅粉燒結(jié)，目的是提高碳化硅粉的升華分解率和除去粉中的雜質(zhì);二是硅襯底的碳化，通過碳化過程在硅襯底上形成一個β碳化硅薄層

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