2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、碳化硅是一種新型半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬、載流子飽和速度高、臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、熱導(dǎo)率高等特點(diǎn)，可用來(lái)制作高溫、高頻、大功率器件，但材料制備難度大，β碳化硅更是如此。目前碳化硅主要有三種制備方法:升華法;液相生長(zhǎng)法;化學(xué)氣相淀積法。升華法在晶體尺寸和材料品質(zhì)方面有局限性，液相生長(zhǎng)法和化學(xué)氣相淀積法存在生長(zhǎng)速率低等其它問(wèn)題。因此本文考慮借鑒升華法和化學(xué)氣相淀積法的部分工藝，作為一種新的嘗試，用升華法在硅襯底上外延生長(zhǎng)β碳化硅薄膜。
　

2、　由于作為生長(zhǎng)源的碳化硅粉升華分解溫度至少要達(dá)到1800℃以上，而硅襯底的熔點(diǎn)只有1420℃，因此在原有碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備的基礎(chǔ)上，重新設(shè)計(jì)制作了坩堝組件。該組件一方面可保證源-襯距較小時(shí)碳化硅粉和硅襯底溫度均可達(dá)到預(yù)定的溫度值，即構(gòu)造了大的溫度梯度，另一方面提供了輔助碳源。
　　樣品制備分為三個(gè)工藝步驟:一是碳化硅粉燒結(jié)，目的是提高碳化硅粉的升華分解率和除去粉中的雜質(zhì);二是硅襯底的碳化，通過(guò)碳化過(guò)程在硅襯底上形成一個(gè)β碳化硅薄層

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