基于多孔硅襯底濺射碳化硅薄膜的光致發(fā)光性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、硅和碳化都是優(yōu)良的的半導(dǎo)體材料。由于硅的帶隙比較窄限制了硅材料的發(fā)光，多孔硅在室溫下的光致發(fā)光現(xiàn)象發(fā)現(xiàn)以來，半導(dǎo)體發(fā)光材料的研究進入了一個新時代。這一發(fā)現(xiàn)時硅基發(fā)光器件和光電子器件的發(fā)展指明新的路線。碳化硅薄膜具有很好的藍光發(fā)射，而多孔硅的光致發(fā)光波長幾乎覆蓋了紫外到紅外的范圍，所以，我們通過多孔硅襯底沉積碳化硅薄膜得到更好的具有藍光發(fā)射的硅基發(fā)光材料。
　　 本論文采用的是磁控濺射的方法在多孔硅襯底上沉積SiC一層薄膜，然后研

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