寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅器件的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、該論文主要從碳化硅肖特基勢壘二極管器件的制備和模型,器件工藝的優(yōu)化以及紫外光探測器原型器件的設(shè)計等三個方面進(jìn)行了研究.首先是肖特基勢壘二極管的制備和測量.我們采用Ni作肖特基接觸,多元金屬Ni、Ti、Ag合金作歐姆接觸,研制出肖特基勢壘二極管.其次,我們結(jié)合硅的平面工藝,對碳化硅工藝進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計,摸索出一套比較成功的工藝流程,制備了性能較好的肖特基整流二極管,并對材料、版圖設(shè)計進(jìn)一步優(yōu)化,主要措施有采用隔離環(huán)、結(jié)終端擴(kuò)展、使用蜂窩狀圖形

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