寬禁帶半導體薄膜材料的制備與研究.pdf

1、寬禁帶半導體材料一般具有高的擊穿電場、高的熱導率、高的電子遷移率及更高的抗輻射能力，在壓電、光電器件、液晶顯示器、太陽能電池等領域有廣泛的應用。本文對寬帶隙半導體材料ZnO：Al（AZO）、氮化硅和CNT陰極薄膜的制備、結構特征及物理性能進行了系統(tǒng)的研究。主要研究如下：
　　 （1）以鋅鋁的化合物（Zn（CH3COOH）2·2H2O和Al（NO3）3·9H2O）為前驅物，在載玻片襯底上制備了AZO薄膜，采用溶膠-凝膠法在玻璃襯底

2、上沉積了Al3+摻雜型ZnO薄膜。定量研究了摻雜量、溶液濃度、熱處理溫度對薄膜性能的影響，并對薄膜的電學特性和光學性能等進行了表征。實驗結果表明：溶液濃度為8％，摻雜比為3％，熱處理溫度為450℃，熱處理時間為：升溫5分鐘、保溫15分鐘，旋涂時低轉速為1080r/min、時間為6s，高轉速為4560r/min、時間為20s時，能獲得電學性能和光學性能最佳的薄膜，其方阻值為：114KΩ/口，平均透過率為90％。
　　 （2）采用等

3、離子體增強化學氣相沉積（PECVD）系統(tǒng)，以硅烷和氨氣為氣源，在不同射頻（RF）功率、不同襯底溫度和不同硅烷氨氣流量比下制備了氮化硅薄膜。實驗表明，當射頻功率增大時，生成的氮化硅薄膜結構致密，鈍化性能提高。射頻功率與氮化硅薄膜折射率成正比，與腐蝕速率成反比。襯底溫度對薄膜的腐蝕速率影響顯著，最佳的襯底溫度為250℃。硅烷氨氣流量比對沉積速率影響不大，但在很大程度上決定了氮化硅薄膜的折射率。
　　 （3）采用絲網(wǎng)印刷技術，以碳納米