ZnS半導體薄膜材料可控制備與性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本論文通過濺射和蒸鍍方法沉積ZnO、Zn或Zn/S/Zn三層結(jié)構(gòu)薄膜,并進行硫化處理,制備出ZnS薄膜。用X射線衍射儀、掃描電子顯微鏡以及紫外-可見分光光度計等對薄膜進行了表征,研究了硫化條件對薄膜結(jié)構(gòu)和光學性能的影響。
  ZnO薄膜在空氣和H2S氣氛中退火后,只有硫化溫度大于300℃時,才能全部轉(zhuǎn)變?yōu)榱絑nS薄膜,且沿(002)晶面擇優(yōu)生長。最佳的硫化溫度和時間分別為500℃和2h,所得ZnS薄膜結(jié)晶性好、均勻致密,可見光范

2、圍光透過率約80%??諝馔嘶饻囟鹊倪m當增加,會改善ZnS薄膜晶體質(zhì)量。此外,討論了ZnS薄膜發(fā)光譜及其發(fā)光機理。
  ZnO薄膜在500℃硫蒸氣中則需長達18h時間硫化才能完全轉(zhuǎn)變?yōu)閆nS。所得六方結(jié)構(gòu)ZnS薄膜沿(002)晶面擇優(yōu)生長但薄膜光透過率低以及吸收邊寬化。硫化后薄膜晶粒明顯比未硫化薄膜大得多,因為ZnS再結(jié)晶緣故,其晶粒尺寸約為1μm。而Zn薄膜在500℃硫蒸氣中僅1h就能全部生成ZnS薄膜,其低的光透光率可通過梯度硫

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