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文檔簡介
1、本課題旨在利用一個新型方法合成ZnO納米陣列、圖案化陣列器件。其可在500℃以下的環(huán)境中，10-20分鐘內(nèi)合成。同時應(yīng)用此方法，可獲得無任何附加步驟的簡單的功能器件封裝。同時研究一種快速合成納米帶的方法，具有簡單、可重復(fù)、安全，成本低效益高的優(yōu)勢，適合大規(guī)模生產(chǎn)。
對ZnO金屬氧化物半導(dǎo)體材料的可控生產(chǎn)與性能研究，研究制備生長在不同襯底上的一維ZnO納米結(jié)構(gòu)的一種簡單可靠的合成方法，實現(xiàn)ZnO納米器件的流水線式生產(chǎn)。
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