SILAR法制備半導(dǎo)體薄膜及其光電性能的研究.pdf

1、采用液相薄膜制備工藝-SILAR(連續(xù)離子層吸附反應(yīng))法,于玻璃襯底上制備了CdS,ZnS,RuS<,2>單組份薄膜及(Zn,Cd)S復(fù)合薄膜.考察了工藝參數(shù)對薄膜質(zhì)量的影響,對薄膜的表面形貌,薄膜的生長速率以及熱處理與薄膜的成相及其電阻率的關(guān)系進(jìn)行了觀察和分析.對SILAR法制備的復(fù)合薄膜進(jìn)行了光電性能分析.SILAR法中pH值的增大有利于吸附反應(yīng)的進(jìn)行,且明顯加大了薄膜生長速率.控制陽離子前驅(qū)體溶液的pH~5,陰離子前驅(qū)體溶液的pH

2、在11.5~12.0的強(qiáng)堿性環(huán)境中為最佳的條件.SILAR制備薄膜時(shí),要選擇適當(dāng)?shù)那膀?qū)體溶液濃度.濃度過高,反應(yīng)速率和晶粒生長過快,制得的薄膜不均勻且不致密.濃度過小,反應(yīng)速度過慢,同樣無法得到致密膜.選擇適當(dāng)?shù)姆磻?yīng)和洗滌時(shí)間,根據(jù)前驅(qū)體的不同一般為15~30s.XPS分析結(jié)果表明,CdS薄膜的成分是偏離化學(xué)計(jì)量比的,偏離計(jì)量比的原因主要是形成了Cd-O鍵.隨著循環(huán)次數(shù)的增加,薄膜表面的顆粒尺寸趨于增大.薄膜在常溫下為非晶態(tài)結(jié)構(gòu),隨熱處