SILAR法制備半導體薄膜及其光電性能的研究.pdf

1、采用液相薄膜制備工藝-SILAR(連續(xù)離子層吸附反應)法,于玻璃襯底上制備了CdS,ZnS,RuS<,2>單組份薄膜及(Zn,Cd)S復合薄膜.考察了工藝參數(shù)對薄膜質(zhì)量的影響,對薄膜的表面形貌,薄膜的生長速率以及熱處理與薄膜的成相及其電阻率的關系進行了觀察和分析.對SILAR法制備的復合薄膜進行了光電性能分析.SILAR法中pH值的增大有利于吸附反應的進行,且明顯加大了薄膜生長速率.控制陽離子前驅(qū)體溶液的pH~5,陰離子前驅(qū)體溶液的pH

2、在11.5~12.0的強堿性環(huán)境中為最佳的條件.SILAR制備薄膜時,要選擇適當?shù)那膀?qū)體溶液濃度.濃度過高,反應速率和晶粒生長過快,制得的薄膜不均勻且不致密.濃度過小,反應速度過慢,同樣無法得到致密膜.選擇適當?shù)姆磻拖礈鞎r間,根據(jù)前驅(qū)體的不同一般為15~30s.XPS分析結果表明,CdS薄膜的成分是偏離化學計量比的,偏離計量比的原因主要是形成了Cd-O鍵.隨著循環(huán)次數(shù)的增加,薄膜表面的顆粒尺寸趨于增大.薄膜在常溫下為非晶態(tài)結構,隨熱處