碳化硅器件及其溫度特性的研究.pdf

1、第三代寬帶隙(WBG)半導體材料SiC具有高擊穿電場、高飽和電子漂移速率、高熱導率及抗輻射能力強等一系列優(yōu)點,特別適合制作高壓、高溫、高功率、耐輻照等半導體器件,使得其在國民經(jīng)濟和軍事等諸多領域有著廣泛的應用前景,已引起了電子材料和微電子技術領域的廣泛關注.該文從SiC肖特基器件的制備過程,SiC器件的溫度特性,SiC高溫傳感器等方面進行了較為深入系統(tǒng)的研究.1.研制了碳化硅肖特基勢壘二極管.研究了金屬—碳化硅接觸的基本問題和SiC的基

2、本工藝過程,制定了一套制造碳化硅肖特基勢壘二極管的工藝流程和工藝條件.采用平面工藝,用高真空電子束分別蒸發(fā)金屬Ni、Ti做肖特基接觸,采用多層金屬Ni、Ti、Ag合金做歐姆接觸,制作出Ni/4H-SiC、Ti/4H-SiC肖特基勢壘二極管(SBD).對器件進行了測量分析,I-V測量曲線說明肖特基二極管的特性比較理想,可以看出它是比較理想的肖特基勢壘器件.2.研究了SiC器件的溫度特性.研究了SiC SBD在-100℃到500℃之間正向直

3、流壓降與溫度變化的關系.實驗表明:當通過肖特基勢壘二極管的正向電流恒定時,器件正向直流壓降隨溫度變化具有線性關系,斜率約為1.8mV/℃,由此,提出了以4H-SiC肖特基勢壘二極管為基礎的高溫溫度傳感器模型.此外,還分析了SiC MOSFET器件的溫度特性.3.根據(jù)SiC的溫度特性及其耐高溫的特性,我們設計了SiC高溫傳感器.闡述了SiC高溫溫度傳感器的工作原理,介紹了傳感器系統(tǒng)的結構.系統(tǒng)的測溫范圍在0℃到500℃,精度可達0.5℃.