TiN-TiO2納米復(fù)合材料制備及光吸收性能.pdf_第1頁
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1、專業(yè)學(xué)位碩士學(xué)位論文TiN／Ti02納米復(fù)合材料制備及光吸收性能SynthesisandphotoabsorptionpropertyofTiN／Ti02nanocomposites學(xué)號(hào)：31105008完成日期：呈Q!!!Q墨!Q墨大連理工大學(xué)DaIianUniversityofTechnology大連理工大學(xué)專業(yè)學(xué)位碩士學(xué)位論文摘要Ti02由于光催化活性高、無毒、廉價(jià)而被廣泛研究。然而Ti02的帶隙為32ev，使其僅能利用不到太陽光

2、總能量5％的紫外光。而且Ti02為間接帶隙半導(dǎo)體，電子和空穴復(fù)合效率高，導(dǎo)致其光催化效率進(jìn)一步降低。N摻雜或與其他材料復(fù)合是提高其光催化效率的重要方法。以TiN為前驅(qū)體氧化制備氮摻雜Ti02以或TiN／Ti02復(fù)合材料的研究也受到關(guān)注。但以TiN納米粒子為初始原料，系統(tǒng)研究其氧化行為及光吸收性能的相關(guān)報(bào)道較少，這正是本文研究?jī)?nèi)容所在。本文采用控制氧化法、直流電弧法原位制備TiN廠ri02納米復(fù)合材料?？刂蒲趸ㄒ灾彪娀〉入x子體法制備的T

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