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文檔簡介
1、隨著電子產(chǎn)品的發(fā)展,人們對于超便攜,超低功耗以及高密度快速存儲設(shè)備的需求日益緊迫。但是隨著光刻工藝進(jìn)入32nm量產(chǎn),22nm研發(fā)的階段,目前主流的Flash存儲已經(jīng)暴露出來了越來越多的缺陷,迫切需要開發(fā)一種適應(yīng)現(xiàn)在要求的存儲技術(shù)。阻變存儲(RRAM)因其表現(xiàn)的高性能以及結(jié)構(gòu)簡單,造價低廉和現(xiàn)代半導(dǎo)體工藝兼容等特點(diǎn),正在被國內(nèi)外廣泛的研究。本文從目前RRAM存在的問題出發(fā),使用直流磁控濺射,通過改變氧分壓、薄膜厚度和電極類型及厚度,利用X
2、RD、AFM和半導(dǎo)體參數(shù)分析儀對NiO薄膜的結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能進(jìn)行表征,系統(tǒng)地探討了NiO阻變機(jī)理以及器件操作電壓(Reset/Set Voltage)的改善等方面問題,主要研究內(nèi)容如下:
⑴制備過程中氧分壓的變化(5%-15%),對于薄膜的晶格取向,表面粗糙度以及薄膜的沉積速率都有著較大的影響。發(fā)現(xiàn)隨著氧分壓的增加,NiO薄膜的晶向從(200)逐步轉(zhuǎn)變到(220),表面粗糙度和沉積速率呈現(xiàn)遞減趨勢。但是在10%的條件下,由于
3、(200)和(220)XRD測試峰的強(qiáng)度具有可比性,導(dǎo)致此時薄膜表面粗糙度突然升高。
⑵通過不同電極比較發(fā)現(xiàn)Cu電極相對于W、Ni等電極具有更低的功耗,主要原因是由于使用Cu電極時導(dǎo)電細(xì)絲的形成是由于在電場的作用下,Cu原子發(fā)生氧化還原反應(yīng),使得Cu離子在薄膜內(nèi)部移動形成的。對于W、Ni等電極則是由于熱的作用引起的細(xì)絲熔斷,這就增加了器件的功耗。
⑶對于Cu/NiO/Pt結(jié)構(gòu),發(fā)現(xiàn)可以通過減小薄膜的厚度,在保
4、持一定高低阻態(tài)比時,降低了器件的操作電壓,降低了功耗。
⑷討論了下電極厚度對于器件性能的影響,發(fā)現(xiàn)當(dāng)上電極為Cu時,其對器件性能的影響較?。划?dāng)上電極為Ni時,其對器件性能的影響較大:在下電極很薄時,器件將無法穩(wěn)定在低阻態(tài)。分析可能是由于底電極過薄導(dǎo)致熱量無法及時散去,使得形成的導(dǎo)電細(xì)絲處于不穩(wěn)定狀態(tài)。
⑸討論了薄膜器件的阻變機(jī)理,認(rèn)為Cu為上電極時,細(xì)絲的熔斷和復(fù)合是由于Cu離子的移動造成的,并且在一定電壓下
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