2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、與傳統(tǒng)E2PROM,F(xiàn)LASH等非揮發(fā)性存儲器相比,新型非揮發(fā)鐵電存儲器FRAM具有低操作電壓、快速讀寫操作、低功耗、信息保持時間長等優(yōu)異的特性,因而非常適合于嵌入式開發(fā)應(yīng)用。其中集成鐵電薄膜是實(shí)現(xiàn)鐵電存儲器的關(guān)鍵。本文主要研究了集成鐵電薄膜LSCO/PZT/LSCO下緩沖層LSCO的靶材制備,磁控濺射工藝參數(shù)優(yōu)化以及薄膜自發(fā)形核熱力學(xué)分析。按照熱力學(xué)理論,重點(diǎn)研究分析了薄膜生長過程中的自發(fā)形核過程。通過分析臨界核心半徑r*,自由能變化

2、ΔG*兩參量,來探討襯底溫度和沉積速率對整個形核過程及組織結(jié)構(gòu)的影響。結(jié)果表明,適當(dāng)提高襯底溫度T,并降低沉積速率U可沉積得到晶粒粗大甚至具有單晶結(jié)構(gòu)的薄膜。采用溶膠凝膠自燃燒法制備出的La0.5Sr0.5CoO3靶材優(yōu)化閾值為:燒結(jié)溫度1200 ℃,鑭過量系數(shù)λ=0.03。在此條件下制備的靶材表面平整,晶粒均勻,結(jié)合致密,孔洞缺陷極少,電阻率最低可達(dá)到0.145mΩ·cm。改變制備LSCO薄膜的襯底溫度和濺射功率兩工藝參數(shù),通過分析研

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