T-R組件中鍵合互連的微波特性和一致性研究.pdf

1、鍵合互連是實(shí)現(xiàn)微波多芯片組件電氣互連的關(guān)鍵技術(shù)，鍵合互連的拱高、跨距和金絲根數(shù)對(duì)其微波特性具有很大的影響。本文主要針對(duì)T/R組件中鍵合互連的微波特性和應(yīng)用進(jìn)行了理論分析、仿真、樣品制作和實(shí)驗(yàn)研究。主要研究工作可概括為以下五個(gè)方面：
　　 (1)介紹了FDTD基礎(chǔ)理論和金絲鍵合互連的準(zhǔn)靜態(tài)模型，確定了鍵合互連模型的正確性。
　　 (2)采用商用三維電磁場軟件HFSS對(duì)微波多芯片組件中金絲/金帶鍵合互連的微波特性進(jìn)行建模分析

2、和仿真優(yōu)化。仿真優(yōu)化結(jié)果與試驗(yàn)樣品的測試結(jié)果吻合較好。
　　 (3)比較分析了毫米波頻段單根金絲、兩根金絲、三根金絲和金帶的微波特性，測量結(jié)果表明鍵合兩根金絲能與鍵合金帶在插入損耗上能相比較。利用低通濾波器原理對(duì)互連金絲的傳輸特性進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，獲得了比較理想的結(jié)果。
　　 (4)研究手動(dòng)鍵合設(shè)備和半自動(dòng)鍵合設(shè)備的對(duì)鍵合金絲/金帶的跨距、拱高的控制。對(duì)金絲鍵合進(jìn)行了SPC的統(tǒng)計(jì)過程控制，提高了微波多芯片組件的鍵合質(zhì)量。