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文檔簡介
1、本文對Ka波段MMIC低噪聲放大器的電路進行了研究和設計,主要包括以下內(nèi)容:MMIC技術(shù)背景和特點,相關(guān)器件模型分析和工藝流程簡介,最后詳細介紹該放大器的設計過程。
論文采用臺灣WIN半導體公司的0.15μmGaAsLowNoisepHEMT工藝線,借助ADS軟件仿真實現(xiàn)了一個工作頻率在34～36GHz的MMIC低噪聲放大器。該低噪聲放大器采用三級級聯(lián)的拓撲結(jié)構(gòu),首先根據(jù)不同的目標將各級放大電路設計成分別包含輸入輸出匹配網(wǎng)絡的
2、單級電路,同時各級的輸入輸出端都匹配到50Ω,這是為了便于級聯(lián),其中第一級放大電路加入源極負反饋來改善穩(wěn)定性。之后根據(jù)MMIC設計的特殊性采用兩種不同的整體匹配方式,通過對比確定了將偏置電路和匹配電路用一個并聯(lián)分支線來實現(xiàn)的匹配網(wǎng)絡設計方法,因為它能有效的減小芯片面積。
最終設計實現(xiàn)的Ka波段MMIC低噪聲放大器在34～36GHz內(nèi)有良好的性能,主要指標為:整體噪聲系數(shù)小于2.3dB,總增益大于27dB,工作頻率內(nèi)增益平坦度小
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