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文檔簡(jiǎn)介
1、本文主要設(shè)計(jì)基于氮化鎵高電子遷移率晶體管的X波段微波單片低噪聲放大器，首先簡(jiǎn)單介紹了氮化鎵材料、器件的優(yōu)勢(shì)及氮化鎵微波單片集成電路的發(fā)展現(xiàn)狀；接著，對(duì)二端口網(wǎng)絡(luò)的表述及其噪聲、阻抗匹配的原理和低噪聲放大器的主要特性指標(biāo)進(jìn)行了闡述；然后，分析了氮化鎵微波單片集成電路中有源無(wú)源元件的原理及等效電路，利用HFSS軟件對(duì)各無(wú)源元件進(jìn)行精確的電磁仿真及分析；結(jié)合寬帶放大器和低噪聲放大器設(shè)計(jì)技術(shù)及制造工藝，利用ADS軟件設(shè)計(jì)了基于氮化鎵高電子遷移率
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