納米二氧化鈦修飾碳糊電極的制備與應(yīng)用.pdf

1、本論文分別用納米TiO2、碳納米管和EDTA-Cu()Ⅱ配合物做修飾劑，通過單一修飾劑修飾和兩種修飾劑混合修飾這兩種途徑，制備了三種分別適用于鉛、銅、鎘離子測定的化學(xué)修飾碳糊電極。研究了這三種電極的修飾劑比例、實驗測定條件對電極性能的影響，并在最佳實驗條件下對溶液中的被測離子進行了分析測定。具體內(nèi)容如下：
　　1.采用納米TiO2修飾碳糊電極對Pb2+的測定有很好的效果。用摻雜法制作的碳糊比例為石墨粉質(zhì)量:納米TiO2質(zhì)量為10:

2、5的修飾電極做工作電極，在底液0.10mol/L pH為5.0的HAc-NaAc緩沖溶液（含0.10mol/L的KCl）中對Pb2+富集6min后以100mV/s的掃描速度對Pb2+進行測定。該電極在循環(huán)伏安圖上-0.290V處出現(xiàn)一個Pb2+的特征氧化峰，峰電流與Pb2+濃度在1.0×10-7mol/L～1.0×10-4mol/L范圍內(nèi)呈良好線性關(guān)系，相關(guān)系數(shù)0.9937，檢出限為3.7×10-8mol/L。
　　2.用碳納米管

3、和納米TiO2混合修飾碳糊電極測定Cu2+，修飾劑比例以石墨、碳納米管、納米TiO2三者的質(zhì)量比是10:1:2為最佳。在pH為5.5的HAc-NaAc緩沖溶液中，當(dāng)Cu2+在修飾電極表面富集200s，電位掃描速率控制在60mV/s時，修飾電極在循環(huán)伏安圖上能出現(xiàn)一個Cu2+的特征氧化峰，該峰電流與Cu2+的濃度在1.0×10-7mol/L～1.0×10-4mol/L的范圍內(nèi)呈良好線性關(guān)系，相關(guān)系數(shù)為0.9944，檢出限為1.43×10-

4、8mol/L。
　　3.用EDTA-Cu()Ⅱ配合物與納米TiO2混合修飾到碳糊電極上對Cd2+進行測定，修飾劑配比為石墨粉、EDTA-Cu(Ⅱ)配合物、納米TiO2的質(zhì)量比等于10:1:5時效果最好。在底液0.10mol/L pH為4.5的HAc-NaAc緩沖溶液（含0.10mol/L的KNO3）中，當(dāng)Cd2+在修飾電極表面富集10min，電位掃描速度為100mV/s時，修飾電極在循環(huán)伏安圖上能出現(xiàn)一個靈敏氧化峰，該峰電流與Cd