硅基阻性存儲器特性及其滲流通道型開關機理研究.pdf

1、阻性隨機存儲器（阻性存儲器）同時結合了Flash的高密度和DRAM的快速和耐用性特點，另外還具有低能耗、轉(zhuǎn)換速度快、微縮特性優(yōu)異（10nm以下）等突出優(yōu)勢，成為下一代存儲技術的代表之一。硅基阻性存儲器因為制作簡單，可靠性高，與當前的CMOS工藝相容等特點得到了廣泛關注。本文研究了Ag/a-silicon/p-silicon，Ag/SixC1-x/p-silicon兩種結構阻性存儲器的變阻特性及其狀態(tài)轉(zhuǎn)換機制。
　　本文首先對半導體

2、存儲器的發(fā)展及研究現(xiàn)狀予以介紹，簡單分析了各種類型半導體存儲器的優(yōu)缺點及其應用范圍，介紹了阻性存儲器及相關的幾種導通機制。接著介紹了阻變式非易失性存儲器（阻性存儲器）的主要性能參數(shù)，器件的制作過程，I-V特性曲線，傅里葉紅外光譜(FTIR)，電化學阻抗譜等分析手段。最后對兩種器件分別進行討論，根據(jù)I-V特性曲線set/reset過程緩變的特性，提出器件的狀態(tài)轉(zhuǎn)換過程與細絲型導電通道的建立無關，而是滲流通道的建立過程。
　　兩類硅基