60W800MHz-900MHz射頻LDMOS器件結(jié)構(gòu)中場極板的設(shè)計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著射頻集成電路的迅速發(fā)展，射頻功率器件在個人消費電子、移動基站及軍用雷達(dá)等無線通訊設(shè)備上的需求與日俱增。由于現(xiàn)有的射頻功率器件大都存在工藝復(fù)雜、造價昂貴的缺點，所以迫切需要一種工藝簡單、造價低廉且易于集成的射頻功率器件來滿足市場需求。
　　 由于橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件LDMOS具有高線性度及高功率增益等優(yōu)異的射頻性能，且與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝兼容，其在射頻功率電路中的應(yīng)用越來越廣泛。本文主要對60W工作在800MHz-90

2、0MHz頻段的射頻LDMOS器件中的場極板結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究設(shè)計。針對現(xiàn)有柵場極板結(jié)構(gòu)LDMOS器件的不足，本文提出階梯淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)LDMOS器件。利用器件模擬軟件Silvaco對影響器件電學(xué)性能的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)參數(shù)，如場極板及溝槽工藝尺寸等進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計。仿真結(jié)果表明，該結(jié)構(gòu)器件在大幅提高器件擊穿電壓的同時，能夠保持寄生電容及截止頻率基本不變。
　　 本文還重點設(shè)計了金屬源場極板結(jié)構(gòu)LDMOS器件，給出了影響器件射頻性能的寄生電容模型

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