射頻LDMOS器件結(jié)構(gòu)和ESD保護研究.pdf

1、本文使用器件模擬軟件ISE，建立了射頻LDMOS的器件模型，比較了射頻LDMOS器件的擊穿電壓和襯底濃度、漂移濃度、溝道濃度的關(guān)系，通過對各個參數(shù)的模擬比較，得到了優(yōu)化的射頻LDMOS結(jié)構(gòu)，在大量模擬實驗的基礎(chǔ)上，為最終射頻LDMOS的設(shè)計奠定了數(shù)據(jù)基礎(chǔ)。 文章使用二維器件模擬軟件ISE，模擬并研究了RF-LDMOS柵漏電容Cgd和柵源電容Cgs與柵源電壓Vgs及漏源電壓Vds的關(guān)系；研究了柵氧化層厚度，漂移區(qū)濃度，溝道區(qū)濃度等

2、參數(shù)對Cgd的影響。 本文研究了60 V-LDMOS器件在ESD（electrostatic discharge）應(yīng)力下的擊穿機理，并分析比較了目前流行的LDMOS器件的靜電保護結(jié)構(gòu)：深漏極的雙RESURF結(jié)構(gòu)、SCR-LDMOS結(jié)構(gòu)、HST-LDMOS結(jié)構(gòu)，提出了適合我們自己開發(fā)的LDMOS的靜電保護方案。 本文提出并研究了采用雙RESURF技術(shù)的槽柵橫向雙擴散MOSFET（DRTG-LDMOS）。與傳統(tǒng)的LDMOS器