高壓LDMOS器件性能的優(yōu)化研究.pdf

1、基于在眾多領(lǐng)域的設(shè)計(jì)中所遇到的多參數(shù)求解問(wèn)題，以高壓LDMOS器件性能的優(yōu)化設(shè)計(jì)為對(duì)象，重點(diǎn)研究如何實(shí)現(xiàn)工藝和器件設(shè)計(jì)時(shí)的多參數(shù)優(yōu)化。 本文使用TCAD工具對(duì)一種運(yùn)用場(chǎng)板技術(shù)和Double RESURF技術(shù)設(shè)計(jì)的高壓LDMOS進(jìn)行研究，在此基礎(chǔ)上主要研究如何通過(guò)實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)利用響應(yīng)表面方法和基于BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的優(yōu)化方法對(duì)高壓LDMOS進(jìn)行多參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)。 以高壓LDMOS的制造工藝參數(shù)和結(jié)構(gòu)參數(shù)N-drift層注入劑量、P-t

2、op層注入劑量和P-top層長(zhǎng)度作為控制因素，將高壓LDMOS的擊穿電壓作為響應(yīng)，在實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)上運(yùn)用響應(yīng)表面方法建立多項(xiàng)式響應(yīng)表面模型。結(jié)果表明只要選擇合適的實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)和模型公式，所得到的模型就既能很好地?cái)M合實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，又能很好的反映出控制因素變化對(duì)響應(yīng)影響的趨勢(shì)，具有良好的預(yù)測(cè)能力。 用一個(gè)3×5×1的3層BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)對(duì)高壓LDMOS的器件性能進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)。將工藝參數(shù)N-drift層注入劑量、P-top層注入劑量和P-to