0.6umbcd工藝中l(wèi)dmos器件的優(yōu)化

1、目 錄摘要????????????????????．．1A B S T R A C T ???????????????????．．2引言?????????????????????3第一章集成電路工藝介紹??????????????．．41 ．1 集成電路各模塊工藝??????????????．．41 ．2 集成電路工藝流程???????????????．41 ．3 金屬氧化物半導(dǎo)體( M O S ) 晶體管與雙極型晶體管的比較?????

2、51 ．4 B I P o L A R —C M O S —D M O S 工藝( B C D 工藝) 的形成????????71 ．5 O ．6 u MB C D 工藝的簡單流程?????????????81 ．6 O ．6 u MB C D 工藝典型器件剖面圖???????????．．91 ．7 本章小結(jié)?????????????????．．1 2第二章工藝和器件模擬軟件?????????????．．1 32 ．1 軟件簡介????

3、?????????????．．1 32 ．2 用戶界面G E N E s I s ???????????????．．1 42 ．3 流程建立模塊L I G A M E N T ??????????????1 42 ．4 工藝模擬模塊D I o s ???????????????1 52 ．5 網(wǎng)格定義模塊M D R A w ??????????????．．1 62 ．6 器件模擬模塊D E s s I s ??????????????．

4、1 72 ．7 器件參數(shù)提取模塊I N s P E c T ?????????????1 92 ．8 圖形顯示模塊T E c P L o T ??????????????2 02 ．9 模擬流程?????????????????．．2 02 ．1 0 本章小結(jié)?????????????????．2 1第三章橫向雙擴(kuò)散M O S ( L D M O S ) 及減小表面電場( R E S U R F ) 技術(shù)????．2 23 ．1 L D

5、 M O S 的版圖及剖面結(jié)構(gòu)?????????????2 23 ．2L D M O S 的簡單工作模型?????????????．．2 33 ．3 減小表面電場( R E s u R F ) 技術(shù)????????????．．2 53 ．4 本章小結(jié)?????????????????．．3 0第四章0 ．6 U MB C D 工藝中幾種L D M O S 管的優(yōu)化????????．．3 l4 ．1 L D M O S 管工藝參數(shù)的優(yōu)化?

6、????????????3 l4 ．2 比電阻R s P 與各工藝參數(shù)的關(guān)系．??????????．．3 3摘要近幾年我國C M O S 集成電路( I C ) 因國內(nèi)巨大的市場需求和政府的有力扶持得到了高速的發(fā)展，大大地縮短了與國外同行的差距，然而標(biāo)準(zhǔn)的C M O S 工藝只適用于低壓、低功耗和大規(guī)模集成的電路，在需要更高耐壓和功率的應(yīng)用領(lǐng)域，B i C M O S 和B C D 工藝則更為合適。， B i C M O S 是B i

7、p o l a r 和C M O S 工藝的集合體，B C D 工藝則是在B i C M O S 基礎(chǔ)上又增加了D M O S 器件，它們既能利用C M O S 工藝的優(yōu)點，也能發(fā)揮B i p 0 1 a r 和D M O S器件的長處，只是工藝相對比較復(fù)雜，相對于國外已經(jīng)發(fā)展了7 、8 代的B C D 工藝來說，國內(nèi)目前尚處于起步階段，有著比較大的差距。L D M O S 即通過雙擴(kuò)散形成橫向溝道結(jié)構(gòu)的高壓功率M O S ，因其工作頻

8、率高，輸入阻抗高、電流增益大，跨導(dǎo)線性高，負(fù)的電流溫度系數(shù)，以及因源、漏、柵三個電極均位于芯片表面，易于在平面工藝中通過內(nèi)部連線與低壓器件集成等優(yōu)點，在高壓集成電路( H V I C ) 和功率集成電路( P I C ) 被作為功率器件廣泛使用。在工藝上通常會采用場板和r e s u r f 技術(shù)來提高L D M O S 器件的性能，但是作為功率器件，其耐壓和導(dǎo)通電阻在工藝上始終是一對矛盾，另外和所有的M O S器件一樣，它也同樣面臨著

9、尺寸縮小帶來的器件參數(shù)退化問題。本文作者通過對公司0 ．6 u mB C D 產(chǎn)品的測試并借助工藝與器件模擬軟件，對該工藝中低壓、中壓、高壓等不同耐壓要求的L D M O S 管，在N 阱( 包括N 淡阱) 、P b o d y 、V t 調(diào)節(jié)注入等工藝參數(shù)，在高邊( h i g h s i d e ) 、低邊( 1 0 w s i d e )等不同應(yīng)用條件下器件的不同結(jié)構(gòu)類型的選擇、以及橫向結(jié)構(gòu)參數(shù)的進(jìn)一步優(yōu)化，在器件源端版圖的畫法等