InGaP-GaAs HBT工藝射頻ESD保護(hù)電路.pdf

1、隨著無(wú)線通信技術(shù)的不斷發(fā)展，RFIC(射頻集成電路)應(yīng)用范圍越來(lái)越廣。InGaP/GaAs HBT(異質(zhì)結(jié)雙極晶體管)具有高電子遷移率、高電流增益、低基區(qū)寄生電阻、襯底損耗低等優(yōu)點(diǎn)，是RFIC中廣泛采用的一種工藝。然而，由于GaAs材料的散熱能力比Si差，且晶體管的結(jié)構(gòu)是垂直的，因此InGaP/GaAs HBT的散熱能力較差。同時(shí)，InGaP/GaAs HBT的基區(qū)外延層很薄，高電流密度下，晶體管很容易損壞。因此，InGaP/GaAs

2、HBT工藝射頻集成電路可靠性的重要影響因素就是晶體管的可靠性。而影響晶體管可靠性的一個(gè)重要因素就是ESD（靜電放電）。
　　 論文簡(jiǎn)要介紹了ESD現(xiàn)象以及ESD對(duì)集成電路的影響，綜述了課題的研究背景。詳細(xì)介紹了ESD測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)和模型，分析研究了電路中器件的失效機(jī)制，簡(jiǎn)要介紹射頻電路分析方法。在介紹現(xiàn)有的基于InGaP/GaAs HBT工藝射頻ESD保護(hù)電路的基礎(chǔ)上，研究了一種新型的基于達(dá)林頓結(jié)構(gòu)的ESD保護(hù)電路，提出了基于InGa

3、P/GaAs HBT工藝窄帶功放全芯片ESD保護(hù)網(wǎng)絡(luò)的方案。并根據(jù)InGaP/GaAs HBT工藝功率放大器的特點(diǎn)，介紹了輸入、輸出、電源ESD保護(hù)電路。為一款工作頻率1.9GHz帶寬20MHz的射頻功率放大器電路設(shè)計(jì)了ESD保護(hù)網(wǎng)絡(luò)。對(duì)電路的ESD防護(hù)性能和射頻性能并且進(jìn)行了實(shí)際測(cè)試，結(jié)果顯示電路可以承受一定的ESD脈沖，且電路的射頻性能受ESD保護(hù)電路的影響很小。
　　 論文從整體上討論了ESD保護(hù)電路的模型和易損性分析，I