2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁
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文檔簡介

1、隨著當(dāng)今通訊科技的飛速發(fā)展,以移動通信、雷達、衛(wèi)星通信等為代表的無線通信系統(tǒng)對射頻開關(guān)的開關(guān)速度、功率容量、開關(guān)損耗等各方面性能均提出了不斷提高的新要求。在常用的射頻開關(guān)器件中,固態(tài)FET射頻開關(guān)以其出色的性能和極高的集成度廣泛應(yīng)用于移動無線通信中,其中又以Si基SOI器件和GaAs基HEMT器件應(yīng)用最為普遍。本文以為GaAs MOSFET核心內(nèi)容,開展了以下方面的研究:
　　1.本文介紹了GaAs器件的基礎(chǔ)知識,對GaAs MO

2、SFET結(jié)構(gòu)與常見HEMT結(jié)構(gòu)進行了比較。同時對GaAs MOS結(jié)構(gòu)的沉積前退火(PDA)進行了研究,在550℃氧氣氛圍退火條件下得到一個相對最優(yōu)的介質(zhì)層厚度,并討論了影響 GaAs MOS退火特性的因素。進一步探究了生長中采用臭氧處理對InP/Al2O3界面的影響。
　　2.本文介紹了射頻開關(guān)的基礎(chǔ)知識,同時基于中國科學(xué)院微電子研究所的GaAs MOSFET工藝,制作了適合開關(guān)應(yīng)用的柵長0.5μm InGaP/InGaAs MO

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