SiC功率MOSFET驅動與應用電路的研究.pdf

1、SiC作為一種寬禁帶的半導體材料，具有擊穿電場強度高、電子飽和漂移速度高、熱導率高等優(yōu)點，因而使SiC功率MOSFET擁有高耐壓、快開關速度、低損耗等特性，廣泛地用于高頻電力電子技術領域。本文主要針對SiC功率MOSFET的驅動和應用電路進行了探究，主要研究內容如下：
　　首先，簡述了SiC功率MOSFET的結構特點及其I-V特性，分析了影響其靜態(tài)和動態(tài)特性的柵極驅動電壓和柵極電阻等主要參數(shù)，對比了SiC功率MOSFET與硅器件關

2、鍵特性的差異，并對SiC功率MOSFET的開關特性進行了仿真分析。
　　其次，依據(jù)SiC功率MOSFET驅動電路的設計要求，通過實驗研究了不同驅動電阻Rg對SiC功率MOSFET的開關特性的影響。并在此基礎上，基于BM6103FV芯片設計了SiC功率MOSFET的驅動電路，對柵極脈沖UGS波形進行了實際測量，驗證了所設計的SiC功率MOSFET驅動電路有效可行。
　　最后，基于SiC功率MOSFET設計了一款用于LED驅動的