SiC功率MOSFET驅(qū)動(dòng)與應(yīng)用電路的研究.pdf

1、SiC作為一種寬禁帶的半導(dǎo)體材料，具有擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、電子飽和漂移速度高、熱導(dǎo)率高等優(yōu)點(diǎn)，因而使SiC功率MOSFET擁有高耐壓、快開(kāi)關(guān)速度、低損耗等特性，廣泛地用于高頻電力電子技術(shù)領(lǐng)域。本文主要針對(duì)SiC功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)和應(yīng)用電路進(jìn)行了探究，主要研究?jī)?nèi)容如下：
　　首先，簡(jiǎn)述了SiC功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及其I-V特性，分析了影響其靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性的柵極驅(qū)動(dòng)電壓和柵極電阻等主要參數(shù)，對(duì)比了SiC功率MOSFET與硅器件關(guān)

2、鍵特性的差異，并對(duì)SiC功率MOSFET的開(kāi)關(guān)特性進(jìn)行了仿真分析。
　　其次，依據(jù)SiC功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)要求，通過(guò)實(shí)驗(yàn)研究了不同驅(qū)動(dòng)電阻Rg對(duì)SiC功率MOSFET的開(kāi)關(guān)特性的影響。并在此基礎(chǔ)上，基于BM6103FV芯片設(shè)計(jì)了SiC功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路，對(duì)柵極脈沖UGS波形進(jìn)行了實(shí)際測(cè)量，驗(yàn)證了所設(shè)計(jì)的SiC功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電路有效可行。
　　最后，基于SiC功率MOSFET設(shè)計(jì)了一款用于LED驅(qū)動(dòng)的