利用軟件平臺對節(jié)能燈驅(qū)動電路中半橋功率MOSFET的設(shè)計.pdf_第1頁
已閱讀1頁，還剩76頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進行舉報或認領(lǐng)

文檔簡介

1、LDMOS(Lateral Double．Diffused MOSFET)作為一種橫向功率器件，其電極均位于器件表面，易于通過內(nèi)部連接實現(xiàn)與低壓信號電路以及其它器件的單片集成，同時又具有耐壓高、增益大、失真低等優(yōu)點，如今已被廣泛應(yīng)用于功率集成電路中。這當中，LDMOS結(jié)構(gòu)設(shè)計的優(yōu)劣以及LDMOS自身工作的可靠性決定了整個功率集成電路的性能。傳統(tǒng)LDMOS的設(shè)計主要圍繞著擊穿電壓和導(dǎo)通電阻之間的合理折衷來進行，但由于功率集成電路自身大電流

2、、高電壓的特點，其許多應(yīng)用都要求在高溫下工作，因而對LDMOS的安全工作區(qū)進行設(shè)計也是必不可少的。因而需要對三者綜合考慮，以提高器件性能。
　　首先，本文回顧了功率器件的發(fā)展歷史，接著介紹了幾種結(jié)終端技術(shù)，如場極板、場限環(huán)、橫向變摻雜等，這些結(jié)終端技術(shù)在LDMOS的設(shè)計中被普遍運用；
　　其次，對LDMOS進行了結(jié)構(gòu)設(shè)計，利用MEDICI對其進行器件仿真和利用TSUPREM-4對其進行工藝仿真，并給出了完整的工藝流程；

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論