H橋功率驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)及其BCD工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā).pdf

1、對(duì)電機(jī)實(shí)現(xiàn)智能自動(dòng)控制的技術(shù)是功率集成技術(shù)的一個(gè)重要部分，在工業(yè)、汽車電子、消費(fèi)電子及通訊業(yè)等領(lǐng)域均需廣泛應(yīng)用電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。因此對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的智能化研究有著重要的意義。
　　本文設(shè)計(jì)了一款用于H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)的高功率輸出芯片，并在自主開(kāi)發(fā)的高功率BCD工藝平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)流片。作者在整個(gè)課題研究期間，進(jìn)行了H橋功率驅(qū)動(dòng)電路中四個(gè)子電路模塊的設(shè)計(jì)，在進(jìn)行器件設(shè)計(jì)的過(guò)程中完成了工藝的開(kāi)發(fā)，并進(jìn)行了版圖繪制與流片，對(duì)所流片出來(lái)的芯片進(jìn)行了兩中不

2、同封裝形式下的測(cè)試。
　　在對(duì)總體電路進(jìn)行設(shè)計(jì)的過(guò)程中，作者首先分析了H橋功率驅(qū)動(dòng)電路在兩種不同控制模式下的基本工作原理并提出了本文設(shè)計(jì)的電路的性能指標(biāo)、設(shè)計(jì)原則和整體框架。本文設(shè)計(jì)的H橋功率驅(qū)動(dòng)芯片的工作電壓范圍廣(12V~55V)、連續(xù)輸出電流能力強(qiáng)(2A)且集成了完整的保護(hù)電路(過(guò)流保護(hù)、欠壓保護(hù)、過(guò)溫保護(hù))和電流采樣等功能。
　　在隨后的子電路模塊設(shè)計(jì)中，分別設(shè)計(jì)了4個(gè)不同電路功能的子模塊，包括用于產(chǎn)生內(nèi)部電源和內(nèi)部

3、偏置信號(hào)的基準(zhǔn)源電路、用于外部監(jiān)測(cè)芯片的電流采樣電路、用于實(shí)現(xiàn)電路保護(hù)功能的過(guò)流保護(hù)電路和用于對(duì)開(kāi)關(guān)管進(jìn)行驅(qū)動(dòng)控制的高端自舉驅(qū)動(dòng)電路。由于本文設(shè)計(jì)的H橋功率驅(qū)動(dòng)芯片需要的器件種類眾多，包括用于邏輯控制電路的CMOS器件、用于功率放大電路的Bipolar器件和功率開(kāi)關(guān)管DMOS器件，因此在電路設(shè)計(jì)的同時(shí)，根據(jù)電路對(duì)器件的要求，考慮了在開(kāi)發(fā)高功率BCD工藝的流程設(shè)計(jì)中器件的高低壓隔離和兼容性的問(wèn)題。最后作者和小組其他成員一起完成了整體電路的