SiC MOSFET在三電平并網(wǎng)逆變器中的應(yīng)用.pdf_第1頁
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1、SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻低、開關(guān)損耗小，使得SiC MOSFET逆變器的逆變效率更高、體積更小。本文基于三電平并網(wǎng)逆變器完成了SiC MOSFET的應(yīng)用研究。
　　首先，論文分析了SiC MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)的基本要求，利用ROHM公司的SiC MOSFET網(wǎng)表模型確定了驅(qū)動(dòng)電路相關(guān)參數(shù)。在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了采用光耦隔離的SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)板并分析其工作原理。利用設(shè)計(jì)完成的驅(qū)動(dòng)板，測(cè)試了兩種不同型號(hào)SiC MOSFET的開關(guān)

2、特性及熱損耗特性，通過對(duì)比分析完成了三電平并網(wǎng)逆變器的主電路的器件選型，選擇了型號(hào)為SCH2080E的SiC MOSFET。
　　其次，針對(duì)SiC MOSFET三電平并網(wǎng)逆變器出現(xiàn)的同橋臂功率器件承受電壓不均衡問題，論文通過三電平的八種運(yùn)行模態(tài)分析了電壓不均衡的原因，設(shè)計(jì)了一種同橋臂并聯(lián)不對(duì)稱電容的新型均壓電路。然后采用三種不同型號(hào)的箝位二極管完成了新型均壓電路的實(shí)驗(yàn)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，所設(shè)計(jì)的方法正確有效。同時(shí)，針對(duì)寄生參數(shù)引起的高

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