SiC MOSFET在三電平并網(wǎng)逆變器中的應用.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、SiC MOSFET的導通電阻低、開關損耗小，使得SiC MOSFET逆變器的逆變效率更高、體積更小。本文基于三電平并網(wǎng)逆變器完成了SiC MOSFET的應用研究。
　　首先，論文分析了SiC MOSFET對驅動的基本要求，利用ROHM公司的SiC MOSFET網(wǎng)表模型確定了驅動電路相關參數(shù)。在此基礎上設計了采用光耦隔離的SiC MOSFET驅動板并分析其工作原理。利用設計完成的驅動板，測試了兩種不同型號SiC MOSFET的開關

2、特性及熱損耗特性，通過對比分析完成了三電平并網(wǎng)逆變器的主電路的器件選型，選擇了型號為SCH2080E的SiC MOSFET。
　　其次，針對SiC MOSFET三電平并網(wǎng)逆變器出現(xiàn)的同橋臂功率器件承受電壓不均衡問題，論文通過三電平的八種運行模態(tài)分析了電壓不均衡的原因，設計了一種同橋臂并聯(lián)不對稱電容的新型均壓電路。然后采用三種不同型號的箝位二極管完成了新型均壓電路的實驗。實驗結果表明，所設計的方法正確有效。同時，針對寄生參數(shù)引起的高

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