SiC MOSFET研究及應(yīng)用.pdf

1、隨著科技的發(fā)展，航天、通訊、核能等各個(gè)領(lǐng)域，迫切的需要一種在高溫、高頻等環(huán)境下仍然能夠正常工作的功率電子器件。在眾多的半導(dǎo)體材料之中，SiC以其優(yōu)良的物理和電學(xué)性能引起了人們的重視。SiC器件與傳統(tǒng)的Si器件相比，具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更大的介電常數(shù)以及更高的熱導(dǎo)率。因此，SiC器件也越來越受到人們的重視。
　　SiC MOSFET與Si MOSFET相比，具有更小的功率損耗并且更適合應(yīng)用在高壓高頻等場(chǎng)合。本文首先分

2、析了SiC MOSFET靜態(tài)特性;隨后，針對(duì)其動(dòng)態(tài)特性如開通速度和關(guān)斷速度等，搭建了雙脈沖測(cè)試平臺(tái)，設(shè)計(jì)了SiC MOSFET的單管驅(qū)動(dòng)電路以及模塊驅(qū)動(dòng)電路和退飽和過流保護(hù)電路，并且通過了仿真與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。通過雙脈沖測(cè)試平臺(tái)進(jìn)行對(duì)比實(shí)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:SiC MOSFET與SiMOSFET相比，具有開關(guān)延遲時(shí)間短，開關(guān)速度快，開關(guān)損耗小等優(yōu)點(diǎn)。針對(duì)雙脈沖測(cè)試電路中開通時(shí)的電流尖峰，進(jìn)行了仿真分析，并通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了分析的準(zhǔn)確性。