6H-SiC異質(zhì)結源漏MOSFET的研究.pdf

1、本文給出了一種新型結構的SiC MOSFET ——6H-SiC 異質(zhì)結源漏MOSFET 。6H-SiC 異質(zhì)結源漏MOSFET 用多晶硅/SiC 接觸代替了重摻雜的pn 結來做MOSFET 的源漏區(qū)。這種器件結構制備工藝簡單，避免了長期困擾常規(guī)SiCMOSFET 的離子注入工藝難度大、退火溫度高、晶格損傷大、注入激活率低等問題。 論文給出了6H-SiC 異質(zhì)結源漏MOSFET 的基本結構及模型，并分析了其電流輸運機制。通過器件模

2、擬軟件ISE TCAD 模擬了6H-SiC 異質(zhì)結源漏MOSFET的基本伏安特性，并和先前的研究成果進行了比較，分析了不同氧化時間、源漏區(qū)不同摻雜、柵長、襯底摻雜濃度和其它因素對6H-SiC 異質(zhì)結源漏MOSFET 伏安特性的影響。 根據(jù)研究的成果，我們提出了一種新的SiC 歐姆接觸工藝——多晶硅/SiC 異質(zhì)結接觸形成歐姆接觸，研究表明n +多晶硅/N + SiC 異質(zhì)結接觸可以形成良好的歐姆接觸，具有工藝簡單，性能優(yōu)良的優(yōu)點