6H-SiC肖特基勢(shì)壘源漏MOSFET理論和實(shí)驗(yàn)的研究.pdf_第1頁(yè)
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1、西安電子科技大學(xué)博士學(xué)位論文6HSiC肖特基勢(shì)壘源漏MOSFET理論和實(shí)驗(yàn)的研究姓名：湯曉燕申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：博士專(zhuān)業(yè)：微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師：張義門(mén)2007100126H—SiC肖特墓勢(shì)壘源漏MOSFET理論和實(shí)驗(yàn)的研究MOSFET。對(duì)測(cè)試結(jié)果的分析說(shuō)明：山于刻蝕對(duì)SiC造成的表面損傷嚴(yán)重影響了柵氧化層的質(zhì)量，導(dǎo)致柵電壓的控制能力很弱。在此基礎(chǔ)上提出了工藝改進(jìn)措施以及進(jìn)一步的設(shè)想。關(guān)鍵詞：碳化硅，肖特基接觸。會(huì)屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶

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