6H-SiC單晶電參數(shù)的紅外光譜研究.pdf

1、文中首先概要介紹了碳化硅材料的性質(zhì)及其生長方法，進而給出了遠紅外光譜的物理圖像和理論擬合光譜的公式推導(dǎo)，最后對傅立葉變換光譜的原理進行了說明，并對實驗儀器作了簡要介紹。 基于上述理論，采用紅外光譜的無損表征技術(shù)，對國產(chǎn)的n型6H-SiC的電學(xué)參數(shù)進行了研究，測試所用的樣品均是國內(nèi)采用籽晶升華法(PVT)生長的SiC單晶。首先用霍爾效應(yīng)測量方法對樣品進行了測試，在測試過程中，采用了Au/Ni代替Ni來制備歐姆接觸電極，這在一定程度

2、上解決了使用純鎳制作歐姆接觸中遇到的兩個問題。通過霍爾測試，獲得了SiC材料的導(dǎo)電類型、電阻率、載流子濃度和遷移率。然后，針對SiC材料中振子和聲子的特性，用紅外反射法對其遠紅外的反射光譜進行測量和理論分析，提出了一種介電函數(shù)模型，并利用這一模型對SiC的反射光譜進行理論計算和擬合。結(jié)果發(fā)現(xiàn)理論能夠跟實驗擬合的很好。從中獲得了SiC光學(xué)聲子和等離子激元的一些基本信息，并由此得到了其載流子濃度和遷移率。最后將紅外反射法得到的結(jié)果與傳統(tǒng)的H