6H-SiC晶體的非線性光學(xué)和超快吸收與折射動(dòng)力學(xué)研究.pdf

1、6H-SiC是一種第三代半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙，高電子密度和電荷遷移率，優(yōu)良的熱傳導(dǎo)和機(jī)械性能，在電子學(xué)和光學(xué)領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。本文對(duì)6H-SiC三階非線性光學(xué)性質(zhì)和超快吸收與折射動(dòng)力學(xué)過程做了以下研究：
　　1）利用Z-scan技術(shù)研究了6H-SiC和N摻雜6H-SiC的三階非線性光學(xué)性質(zhì)，兩者對(duì)515nm和800nm飛秒脈沖均表現(xiàn)為反飽和吸收與自聚焦，反飽和吸收來自于雙光子吸收，自聚焦是由于克爾效應(yīng)。發(fā)現(xiàn)N摻雜能增強(qiáng)6H

2、-SiC的非線性吸收與折射，分析了間接帶隙躍遷和直接帶隙躍遷對(duì)Z掃描實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象的影響。
　　2）利用相位物體（phase object,PO）泵浦-探測(cè)技術(shù)研究了6H-SiC和N摻雜6H-SiC對(duì)515nm飛秒脈沖的超快吸收與折射動(dòng)力學(xué)。發(fā)現(xiàn)在零延遲時(shí)間兩樣品都表現(xiàn)為反飽和吸收與自聚焦性質(zhì)，討論了反飽和吸收和自聚焦的機(jī)制，分析了N摻雜引起導(dǎo)帶內(nèi)和帶間弛豫過程的影響。
　　3）研究了6H-SiC的瞬態(tài)吸收特性，發(fā)現(xiàn)N摻雜在特定波