SiC MOSFET器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)設計.pdf

1、碳化硅MOSFET器件具有優(yōu)異的高頻性能，常被用作高速開關，其動態(tài)特性的研究十分重要。然而，目前國內外針對該類型器件動態(tài)參數(shù)測試的研究則較為缺乏。因此設計一款高精度且易于使用的SiCMOSFET器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)具有較高的工程應用價值。
　　本文首先通過建模仿真，驗證非理想情況下SiC MOSFET器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)的性能，分析了寄生參數(shù)引起的測試波形振蕩及過沖等問題。利用Saber仿真軟件中的Model Architect工

2、具對SiC MOSFET及電路中其它關鍵元件進行快速建模，同時利用Ansoft Q3D Extractor電磁軟件對PCB互連寄生參數(shù)進行提取并生成等效模型，進而將已建模型導入Saber中仿真驗證。此外，本文采用控制變量法研究了互連寄生電感和器件寄生電容對測試波形的影響。隨后，從電路結構設計、PCB優(yōu)化布局及測試系統(tǒng)搭建三個方面詳細闡述了測試系統(tǒng)的實現(xiàn)過程。最后，以ROHM公司的一款SiC MOSFET器件(sct2280ke)作為測試