版權說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內容提供方,若內容存在侵權,請進行舉報或認領
文檔簡介
1、浙江大學碩士學位論文基于0.18μm CMOS工藝射頻MOSFET特性與建模研究姓名:岳亞富申請學位級別:碩士專業(yè):微電子學與固體電子學指導教師:丁扣寶20070501斯踐大學頸士學位論文A b s t r a c 專W i t hf a s tg r o w t h i nt h e r a d i of r e q u e n c y 《黼> w i r e l e s s c o m m u n i c a t i o n
2、s m a r k e t ,t h e d e m a n d f o rh i g hp e r f o r m a n c e b u t l o w c o s tR F s o l u t i o n s i sr i s i n g .C o m p a r e d 、塒mt h e ’M O S F E Tm o d e l sf o rb o t hd i g i t a l a n da n a l o ga p p
3、l i c a t i o na t l o wf r c q h e n c y ,c o m p a c tm o d e l s f o rH F a p p l i c a t i o n s a r em o r ed i f f i c u l t t o d e v e l o p d u et o t h ea d d i t i o n a l r e q u i r e m e n to fb i a s - d e
4、 p e n d e n c ea n dg e o m e t r ys c a l i n go ft h ep a r a s i t i cc o m p o n e n t s a sw e l la st h er e q u i r e m e n t s o f a c c u r a t e p r e d i c a t i o no f t h e d i s t o r t i o na n dn o i s e
5、b e h a v i o r .H o w e v e rt h eR FM O S F E T m o d e l i n gi ss t i l l a ta p r e l i m i n a r ys t a g ec o m p a r e d w i t h t h em o d e l i n g w o r kf o r d i g i t a la n d l o w f r e q u e n c y a n a
6、l o g a p p l i c a t i o n s 。E f f o r t sf r o m b o t h i n d u s t r ya n d u n i v e r s i t i e sa r e n e e d e d t ob r i n g R FM O S F E T m o d e l s協(xié)am a R a 罄l e v e li n f i L r t h c r i m p r o v i n g t
7、 h eR Fm o d e l si n d e s c r i b i n gt h eA Cc h a r a c t e r i s t i c s m o r e a c c u r a t e l y , a n d i n i m p r o v i n g t h e p r e d i c t i o n o fn o i s ec h a r a c t e r i s t i c s , d i s t o r t
8、 i o nb e h a v i o r , a n dN Q S b e h a v i o r .R Fm o d e l i n go fM O S F E Tb a s e d o n O 。1 8 p r oC M O S p r o c e s s i sd i s c u s s e d .1 .R Ft e c h n o l o g y a t p r e s e n t i s i n t r o d u c e
9、d , i n c l u d e dC m A st e c h n o l o g y , S ib i p o l a r t e c h n o l o g y a n d S i G e t e c h n o l o g y .T h e p n s s i b i H t y o fC M O St e c h n o l o g ya p p l i c a t i o n i nR F i n t e g r a t
10、ec i r c u i ti sd i s c u s s e d .A n d t h ep r o c e s sa n d s p e c i a l d e v i c e s i nt h e R FC M O St e c h n o l o g y i s i n t r o d u c e d .T h ec h a l l e n g eo f d e e ps u b - m i c r o n m e t e r
11、R FC M O S t e c h n o l o g yi si n t r o d u c e d .R F t e c h n o l o g y w i l lt h e m a i np r o c e s s o n l yt h eR F e n g i n e e r sg a v e r e s o l v e dt h ep r o b l e m .2 .S e v e r a lc o m m o n M O
12、S F E T m o d e l sa r ci n t r o d u c e d .T h eA C s m a l ls i g r l a lm o d e lo f R F M O S F E T i sd i s c u s s e d .T h e 毯酶f r e q u e n c yp a r a s i t i ce f f e c to fM O S F E Ti s e m p h a s i so n , i
13、 n c l u d e d g a t er e s i s t a n c e ,s u b s t r a t er e s i s t a n c e ,a n dp a r a s i t i cc a p a c i t a n c e .A n dt h e o p t i m i z a t i o no f 蠡e R F M O S F E T l a y o u tw i l li m p r o v e t h e
14、p e r f o r m a n c e o f R F M O S F E T ,3 .T h ed e v i e e s h a v e b e e n m e a s u r e d a n d a n a l y z e d b o t h i n D Ca n dR Fc o n d i t i o n s .A n d t h eB S I M 3 v 3 m o d e l h a v e b e e na d o p
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網頁內容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
- 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內容負責。
- 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 基于0.18μmcmos工藝pipelinedadc的研究與設計
- 0.18μmcmos工藝射頻集成壓控振蕩器的研究與設計
- 基于0.18μmcmos工藝的比較器設計
- 基于0.18μmcmos工藝的6位高速dac研究與設計
- 0.13μmcmos工藝射頻mos場效應管建模
- 基于0.18μmcmos工藝的太赫茲成像芯片研究
- 基于0.18μmcmos工藝的正交壓控振蕩器研究
- 基于0.18μmcmos工藝dcdc轉換電路的設計
- 基于0.18μmcmos工藝的usb電源開關版圖研究與設計
- 基于0.18μmcmos工藝的全芯片esd保護的研究
- 基于0.18μmcmos工藝的寬帶低相噪lcvco設計
- 基于0.18μmcmos邏輯器件的85微縮工藝的實現(xiàn)
- 基于0.18μmcmos工藝的低靜態(tài)電流ldo設計
- 基于0.18μmcmos工藝的高精度帶隙基準源的研究與設計
- 基于神經網絡的微波射頻MOSFET器件建模.pdf
- 基于0.18μmcmos工藝的高性能上混頻器設計
- 0.18μmcmos工藝單片集成鎖相環(huán)設計
- 基于0.18μmcmos工藝的全數(shù)字鎖相環(huán)設計
- 基于0.18μmcmos工藝的10ghz壓控振蕩器的研究與設計
- 基于0.18μmcmos工藝電荷泵鎖相環(huán)的設計與實現(xiàn)
評論
0/150
提交評論