基于0.18μmcmos工藝無電容型ldo線性穩(wěn)壓器電路設(shè)計

1、Illlllllllllllll[1lllllllllllllllllll]lllIFllllY3215855分類號UI，C密敏公開。暑系；l聲哮碩士研究生學(xué)位論文基于o18pmCMOS工藝無電容型LDO線性穩(wěn)壓器電路設(shè)計申請人：學(xué)號：培養(yǎng)單位：學(xué)科專業(yè)：研究方向：指導(dǎo)教師：完成日期：呂陽2141205電子工程學(xué)院微電子學(xué)與固體電子學(xué)集成電路設(shè)計邱成軍教授2017年3月20日||IIIlUIIIUllIIIIIUIY3215855中文摘

2、要——一一——～中文摘要無電容型LDO可消除傳統(tǒng)LDO中因外接無源元件產(chǎn)生的寄生鍵合線電感和電阻。集成之后的LDO變成一個密封的模塊，電源連線之間的電感、電磁等干擾大大降低，同時外部元件數(shù)量的減少能帶來更低的噪聲和更高的可靠性，在SOC系統(tǒng)中得到了廣泛應(yīng)用。因此，無電容型LDO成為了當(dāng)前的研究熱點。采用O181tmCMOS工藝，利用Cadence軟件設(shè)計了一種無電容型LDO穩(wěn)壓電路，包括帶隙基準(zhǔn)電壓電路、誤差放大器電路、瞬態(tài)增強(qiáng)與頻率補(bǔ)

3、償電路、調(diào)整管和反饋電阻。帶隙基準(zhǔn)電路采用寬擺幅共源共棚電流鏡結(jié)構(gòu)代替運(yùn)放，與利用運(yùn)放鉗位的經(jīng)典帶隙基準(zhǔn)電路相比，MOS管數(shù)目減少近一半，可使整體電路靜態(tài)電流和面積得到降低。瞬態(tài)增強(qiáng)采用基于微分器動態(tài)AB類瞬態(tài)增強(qiáng)電路的方法，解決了系統(tǒng)的瞬態(tài)特性問題。頻率補(bǔ)償采用密勒電容和基于微分器動態(tài)AB類瞬態(tài)增強(qiáng)電路重復(fù)用作頻率補(bǔ)償電路的方法，解決了系統(tǒng)的穩(wěn)定性問題。整體電路仿真結(jié)果表明：當(dāng)輸入電壓為21V時，可穩(wěn)定輸出18V，壓差為300mV，最