2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、隨著便攜式電子產(chǎn)品的迅速發(fā)展,直流穩(wěn)壓芯片也越來越重要,低壓差(Low Dropout,LDO)線性穩(wěn)壓器由于具有輸出穩(wěn)定、電壓紋波小等優(yōu)點(diǎn),得到了廣泛的應(yīng)用。而傳統(tǒng)的LDO線性穩(wěn)壓器通常需要較大的片外電容,這會(huì)增加應(yīng)用成本,本文針對傳統(tǒng)LDO線性穩(wěn)壓器的缺點(diǎn),設(shè)計(jì)了一種無片外電容的LDO線性穩(wěn)壓器。
  首先設(shè)計(jì)一款折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)的運(yùn)算放大器,基于所設(shè)計(jì)的運(yùn)放,設(shè)計(jì)了三種基準(zhǔn)電壓源結(jié)構(gòu),分別為傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)電壓源,二階補(bǔ)償帶隙

2、基準(zhǔn)電壓源和全MOS基準(zhǔn)電壓源。然后對這三種基準(zhǔn)電壓源進(jìn)行仿真和比較,仿真結(jié)果表明,在三種基準(zhǔn)電壓源中,MOS結(jié)構(gòu)基準(zhǔn)電壓源的性能是最好的,溫度系數(shù)為0.68 ppm/°C,線性調(diào)整率為17.5μV/V,功耗為0.4 mW。
  基于所設(shè)計(jì)的MOS結(jié)構(gòu)的基準(zhǔn)電壓源,本文設(shè)計(jì)了一種無片外電容LDO電路,采用密勒補(bǔ)償電容對環(huán)路進(jìn)行補(bǔ)償,然后對其進(jìn)行仿真。仿真結(jié)果表明:LDO線性穩(wěn)壓器工作電壓可在-9~-15 V之間變化,輸出電壓為-8

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