GaAs中頻開關(guān)的設(shè)計與研制.pdf

1、隨著雷達以及微波技術(shù)的發(fā)展,對中頻開關(guān)的性能提出了越來越高的要求,主要是在高隔離度,低損耗的前提下,提高開關(guān)速度.GaAs中頻開關(guān)具有開關(guān)速度快,損耗小,隔離度高,驅(qū)動功耗幾乎為零,體積小等特點,能夠滿足人們的要求.為了充分發(fā)揮GaAs開關(guān)的速度性能,提高GaAs微波開關(guān)的使用靈活性,以及與目前多數(shù)系統(tǒng)中的開關(guān)TTL控制電平相兼容,我們對TTL電平驅(qū)動器的GaAS中頻開關(guān)進行研究.該文詳細闡述了GaAs中頻開關(guān)的設(shè)計與研制過程.首先,在

2、深入了解MESFET的工作機理,分析討論了GaAs MESFET的工作原理并提出一種GaAs中頻開關(guān)電路的設(shè)計方法,進行了瞬態(tài)參數(shù)設(shè)計與分析.在這一系列研究工作基礎(chǔ)上,進行開關(guān)電路的拓撲設(shè)計,借助現(xiàn)代計算機技術(shù),對電路進行了計算機輔助設(shè)計和優(yōu)化.同時,建立了GaAs MESFET器件大信號模型,用先進的PSPICE電路模擬程序?qū)λO(shè)計的電路進行瞬態(tài)分析和直流工作點分析,計算電路的速度性能;用EESOF公司的TOUCHSTN微波電路設(shè)計軟