GaAs中頻開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì)與研制.pdf

1、隨著雷達(dá)以及微波技術(shù)的發(fā)展,對(duì)中頻開(kāi)關(guān)的性能提出了越來(lái)越高的要求,主要是在高隔離度,低損耗的前提下,提高開(kāi)關(guān)速度.GaAs中頻開(kāi)關(guān)具有開(kāi)關(guān)速度快,損耗小,隔離度高,驅(qū)動(dòng)功耗幾乎為零,體積小等特點(diǎn),能夠滿足人們的要求.為了充分發(fā)揮GaAs開(kāi)關(guān)的速度性能,提高GaAs微波開(kāi)關(guān)的使用靈活性,以及與目前多數(shù)系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)TTL控制電平相兼容,我們對(duì)TTL電平驅(qū)動(dòng)器的GaAS中頻開(kāi)關(guān)進(jìn)行研究.該文詳細(xì)闡述了GaAs中頻開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì)與研制過(guò)程.首先,在

2、深入了解MESFET的工作機(jī)理,分析討論了GaAs MESFET的工作原理并提出一種GaAs中頻開(kāi)關(guān)電路的設(shè)計(jì)方法,進(jìn)行了瞬態(tài)參數(shù)設(shè)計(jì)與分析.在這一系列研究工作基礎(chǔ)上,進(jìn)行開(kāi)關(guān)電路的拓?fù)湓O(shè)計(jì),借助現(xiàn)代計(jì)算機(jī)技術(shù),對(duì)電路進(jìn)行了計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)和優(yōu)化.同時(shí),建立了GaAs MESFET器件大信號(hào)模型,用先進(jìn)的PSPICE電路模擬程序?qū)λO(shè)計(jì)的電路進(jìn)行瞬態(tài)分析和直流工作點(diǎn)分析,計(jì)算電路的速度性能;用EESOF公司的TOUCHSTN微波電路設(shè)計(jì)軟