基于熱損傷機(jī)理對GaAs光電導(dǎo)開關(guān)的壽命分析.pdf

1、在光電導(dǎo)開關(guān)中存在許多損傷，許多損傷都是由溫度的影響而導(dǎo)致的，伴隨著溫度的升高，電流絲的強(qiáng)度，光生載流子的濃度及能量都會相應(yīng)增加。偏置在強(qiáng)電場下，載流子的漂移速率將達(dá)到飽和，不會隨著電場強(qiáng)度的改變而改變。在非線性模式下，當(dāng)入射的光脈沖能量達(dá)到一定程度時將發(fā)生載流子的雪崩倍增現(xiàn)象。通過研究載流子濃度，載流子漂移速率，材料溫度，注入光子能量，以及偏置電場之間的關(guān)系，我們能夠直接分析光電導(dǎo)開關(guān)的壽命。
　　 我們使用純凈的本征GaAs

2、半導(dǎo)體材料去比較線性模式，非線性模式和暗態(tài)條件下載流子的碰撞電離率，以及對應(yīng)的溫度和電流密度。通過考慮光電子的熱效應(yīng)從而推導(dǎo)出相應(yīng)物理量之間的關(guān)系。通過實(shí)驗(yàn)測出開關(guān)損壞時的溫度，在除以一次脈沖時間內(nèi)導(dǎo)致溫度的變化量，計算出開關(guān)的實(shí)際觸發(fā)次數(shù)，與理論所計算的次數(shù)相比較。通過這些結(jié)論，可以分析光電導(dǎo)開關(guān)在不同模式下的壽命。
　　 電擊穿模式也是開關(guān)損傷中一種很重要的類型，熱擊穿伴隨著時間和熱量的積累，而電擊穿通常一次性擊穿，表現(xiàn)為強(qiáng)