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1、高功率脈沖技術(shù)在國防建設(shè)和國民經(jīng)濟中的作用日益明顯，許多大型尖端設(shè)備，如高功率脈沖激光器光電導開關(guān)、半導體斷路開關(guān)、電子束觸發(fā)開關(guān)等器件被廣泛地應(yīng)用和研究。為了設(shè)備的體積和自重更輕便，伺時保證較高的電效率，對脈沖功率的要求越來越高，高電壓、大電流、而且脈寬越來越窄（納秒、亞納秒），光電導開關(guān)(PhotoconductiveSemiconductor Switches，PCSS's)逐漸進入了人們的視線，以其極高的開關(guān)速度(上升時間小于2
2、00 ps)、極小的電感和較大的通流能力，受到國內(nèi)外研究者的極大重視。但是當偏置電場較高時，開關(guān)器件表面上會觀察到沿面閃絡(luò)和電流絲等現(xiàn)象，導致材料出現(xiàn)損壞甚至擊穿，這種半導體器件的工作場強遠遠小于所用材料的本征擊穿場強，這使得開關(guān)的應(yīng)用領(lǐng)域及開關(guān)壽命受到極大的限制。
本文通過對GaAs光電導開關(guān)的背面觸發(fā)實驗，表明光電導開關(guān)在背面觸發(fā)模式下同樣具有良好的工作狀態(tài)。認為光電導開關(guān)閃絡(luò)的發(fā)生可分為三個階段:歐姆電導、局部閃絡(luò)和貫通
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