0.35um工藝mcu電路esd耐量優(yōu)化和保護(hù)應(yīng)用

1、西安電子科技大學(xué)學(xué)位論文獨(dú)創(chuàng)性聲明秉承學(xué)校嚴(yán)謹(jǐn)?shù)膶W(xué)分和優(yōu)良的科學(xué)道德，本人聲明所呈交的論文是我個人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的研究成果。盡我所知，除了文中特別加以標(biāo)注和致謝中所羅列的內(nèi)容以外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果：也不包含為獲得西安電子科技大學(xué)或其它教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書而使用過材料。與我一同工作的同志對本研究所做的任何貢獻(xiàn)均已在論文中做了明確的說明并表示了謝意。罷震竺簦蘭本人簽名：]Z疊本人承擔(dān)一切的法律責(zé)

2、任。日期：立里!!：!蘭：]!西安電子科技大學(xué)關(guān)于論文使用授權(quán)的說明本人完全了解西安電子科技大學(xué)有關(guān)保留和使用學(xué)位論文的規(guī)定，即：研究生在校攻讀學(xué)位期間論文工作的知識產(chǎn)權(quán)單位屬西安電子科技大學(xué)。學(xué)校有權(quán)保留送交論文的復(fù)印件，允許查閱和借閱論文；學(xué)校可以公布論文的全部或部分內(nèi)容，可以允許采j=I影印、縮印或其它復(fù)制手段保存論文。同時(shí)本人保證，畢業(yè)后結(jié)合學(xué)位論文研究課題再撰寫的文章一律署名單位為四安電子科技大學(xué)。(保密的論文在解密后遵守此規(guī)

3、定)本學(xué)位論文本人簽名：導(dǎo)師簽名：年解密后適川本授權(quán)艮日期：2111：!蘭：!!日期：立壘lj：l2：!!AbstractWiththedevelopmentofsemiconductortechnology，thedevice’Sfeaturedimensionhasbeenshrinkondeep—submicronlevelItspeedstheperformanceofintegrationcircuitanddegradest

4、hecostofeachchipAstheshrinkofthedevice’Sdimension，theESDperformanceismoredegradedfordeepsubmicrontechnologythannormaltechnologyButthespecificationofhighESDperformanceisthesamewhilethetechnologyischangedAddedtheESDdevice’

5、SdimensionandareacouldnotbeacceptedbycustomerAtpresentalotofdeepsubmicronproducthastofacetothischallengeInthisstudy：，thestrategyofESDprotectionperformancedevelopmentindeepsubmicronprocessisinvestigatedThroughESDfailurean

6、alysisofMCUcircuiton035umprocessandevaluationofESDprotectiondevicestructureisimproved，theESDprotectionperformanceisdiscussedthathowtodevelopfromprocess，device，layout，placement，circuit，etcmainStudyonthreeaspects：1)discuss

7、ionoftheprincipleofESDprotectioncircuitdesign；2)improvementmethodinprocesstopromoteESDprotectionperformance；3)protectionactionmainincludedevaluationandusageforionizerinassemblylineThedetaileddiscriptionasfollow：1Thepaper

8、discussestheESDprinciple，failuremode，ESDmodeandthecharacteristicsofESDelementsItalsopointsouttheeffectofSnap—BackMOSinESDprotectionCircuitMainlydiscussonbasicdesignrulesforESDprotectioncircuitandESDprotectionprincipleonC

9、MOScircuitIntroducethecharacteristicsofthe6kindsofcomponentsandmethodsof6sortsoflowresistanceESDcurrentpathsthatcanreleaseESDcurrents2AsondeepsubmicronprocessthesilicideprocessisadoptedforsmallcontactresistanceInthispape

10、r，basedonanalysisforanactualcircuitESDprotectionstructureandESDfailuremode，changethesilicidestructureinMOSdeviceinESDprotectioncircuittoimproveESDrobustnessofproductThetestresultsoftriallotprovethatitcanachieveESDprotect

11、ionperformance30％up3ThroughstudyonoperationalprincipleofionizerandevaluationforkindsofionizerandapplicationinassemblyfineMakeasummaryonmanagementrulesofESDprotectionandbetterapplythemtopracticeKeywords：DeepSubmicronLight