鋁誘導對多晶硅生長的影響.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本碩士論文分析了鋁誘導多晶硅薄膜制備的發(fā)展歷程，對鋁誘導多晶硅薄膜的制備和表征進行了具體研究。通過改進工藝條件和制備參數(shù)（襯底材料，鍍膜襯底材料溫度、鍍膜時間及B摻雜），制備多晶硅薄膜。主要制備步驟包括:清洗玻璃，PECVD沉積非晶（微晶）硅薄膜，真空蒸鍍法沉積鋁膜，最后升華爐退火處理，制備得到多晶硅薄膜。利用X射線衍射儀(XRD)，紫外-可見分光光度計，光學顯微鏡、掃描電鏡等表征儀器，對多晶硅薄膜的晶體成分構成、光學特性和結構特性進行

2、表征。相比于其他制備方法相比，本論文采用增強化學氣相沉積法(PECVD)和真空蒸鍍法在干凈的玻璃表面或者FTO表面沉積Si薄膜和Al薄膜。沉積薄膜工藝簡單，襯底材料成本低廉，沉積薄膜的均勻性好，適合于大面積大規(guī)模的工業(yè)化流水線生產。
　　本實驗室已成功利用鋁誘導法制備出了多晶硅薄膜，實驗以硅烷(SiH4)為原料，以氫氣(H2)為載氣制備出非晶、微晶、多晶晶核，經過鋁誘導退火處理，得到多晶硅薄膜，并通過對多晶硅薄膜表征，研究鋁鋁誘導

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