高濃度HDPCVD PSG薄膜的制備及其應用.pdf

1、在集成電路的制造中，PSG薄膜可以有效的捕捉可移動的金屬離子，且具有低的介電常數等優(yōu)點，被廣泛地應用在PMD制程中，作為金屬沉積前的介電質絕緣層。隨著超大規(guī)模集成電路的工藝特征尺寸的持續(xù)縮小，自對準接觸孔刻蝕的集成工藝被廣泛地應用在PMD制程中，它可以有效地降低對光刻精度的要求。但此集成工藝的應用需要制備出高濃度的PSG薄膜，來提高干法刻蝕的選擇比。所以，研究制備高濃度的PSG薄膜，并且使其滿足實際工藝集成的要求具有很重要的意義。

2、>　　本文用HDPCVD的方法制備磷含量9wt％的高濃度PSG薄膜，滿足了產品工藝集成對薄膜的高品質，高濃度的要求，并且通過實驗設計進一步研究了各工藝參數對薄膜性能的影響，保證了工藝的穩(wěn)定與可靠，以滿足大批量生產的需要。
　　針對高濃度HDPCVD PSG薄膜的縱向磷濃度不均勻的問題，分析了其產生的機理，優(yōu)化沉積條件的步驟，使溫度與PH3流量相匹配，使薄膜的磷濃度縱向分布均勻一致。
　　對于工藝集成過程中，硅片中心位置接觸通

3、孔未刻通失效現象多發(fā)的問題，通過對HDPCVD PSG薄膜膜厚面內傾向性的管理，有效的增大了SAC刻蝕的工藝窗口，解決了中心失效的問題。
　　對于在產品的柵極周圍有一層類似花朵形狀的磷摻雜分布，我們稱之為Flower Pattern。經研究發(fā)現這是HDPCVD PSG所特有的。通過具體的實驗對Flower Pattern的形成過程以及形成機理進行了研究。找到了影響Flower Pattern的關鍵參數。為在生產中有效地控制Flow