Si(111)表面化學(xué)氣相沉積SiC薄膜以及Si吸附過程的分子動(dòng)力學(xué)模擬.pdf_第1頁(yè)
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1、由于碳化硅薄膜具有很多優(yōu)良的物理、化學(xué)性質(zhì)和廣泛的應(yīng)用前景，對(duì)其生長(zhǎng)機(jī)制和制備方法的研究一直是物理學(xué)和材料學(xué)領(lǐng)域的重要內(nèi)容。實(shí)驗(yàn)工作者利用物理氣相沉積法(PVD)、化學(xué)氣相沉積法(CVD)、液相外延生長(zhǎng)(LPE)和分子束外延(MBE)等方法成功地制備了碳化硅薄膜，其中尤其以CVD方法較為常用，它的特點(diǎn)是生長(zhǎng)溫度低、生產(chǎn)批量大、薄膜均勻性好、易控制。
　　 本文基于分子動(dòng)力學(xué)方法，選用Brenner勢(shì)描述碳原子之間的相互作用，選用

2、Tersoff勢(shì)描述硅原子及碳硅原子間的相互作用，模擬了化學(xué)氣相沉積SiC薄膜的生長(zhǎng)過程。首先對(duì)硅原子在Si(111)表面吸附過程進(jìn)行了模擬，進(jìn)而，對(duì)Si(111)表面化學(xué)氣相沉積SiC薄膜的動(dòng)力學(xué)過程進(jìn)行了計(jì)算機(jī)模擬。
　　 首先，模擬研究了不同入射能量下的Si原子在Si(111)表面不同入射位置的吸附過程。觀察到了Si原子在Si(111)表面可能形成的吸附構(gòu)型，以及襯底表面化學(xué)鍵的打開和入射Si原子與表面Si原子成鍵等物理過

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