2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁
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文檔簡介

1、AlGaN基紫外發(fā)光二極管、探測器等光電子器件因在固態(tài)照明、生物化學(xué)檢測、高密度存儲、短波長安全通信及紫外探測等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用而備受關(guān)注。然而由于與藍(lán)寶石襯底之間大的晶格失配和熱失配,AlGaN薄膜很容易龜裂。AlN材料由于其晶格常數(shù)小于AlGaN,對其上生長的AlGaN材料施加壓應(yīng)力,已成為生長AlGaN薄膜的重要模板。因此,獲得高質(zhì)量的AlN材料對AlGaN基紫外光電子器件意義重大。
　　本論文使用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(Met

2、al-OrganicChemical-VaporDeposition,MOCVD)生長技術(shù),采用高溫連續(xù)法和脈沖原子層沉積(PALE)技術(shù)相結(jié)合的方法,以及中溫PALE層插入技術(shù)對AlN模板的外延生長工藝進(jìn)行研究,獲得了(002)和(102)面的XRC半高寬分別為58arcsec和544arcsec的高質(zhì)量AlN模板。
　　首先,研究了三甲基鋁(TMAl)的流量和反應(yīng)腔壓力對AlN生長速率的影響。研究表明:高溫連續(xù)AlN層的生長速

3、率隨TMAl流量呈線性增加,但當(dāng)TMAl流量超過某一值時,寄生反應(yīng)作用增強(qiáng),導(dǎo)致生長速率低于預(yù)期值。此外隨著反應(yīng)腔壓強(qiáng)的減少,AlN外延層的生長速率增加,表面形貌較粗糙。
　　其次,利用高溫PALEAlN和高溫連續(xù)AlN相結(jié)合的方法,成功改善了AlN外延層的表面形貌。同時,通過增加高溫AlN連續(xù)層的生長時間,獲得了高質(zhì)量的AlN模板,其(002)和(102)面XRC半高寬分別為32arcsec和662arcsec,表面平均粗糙度(

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