大功率GaN基LED用SiC襯底刻蝕工藝研究.pdf

1、碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，其具有化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、導(dǎo)電、導(dǎo)熱及與氮化鎵(GaN)晶格失配低等優(yōu)點，是大功率GaN基發(fā)光二極管(LED)的理想襯底材料。在LED芯片制作過程中，刻蝕是一個非常重要的工藝過程，其中影響SiC刻蝕的因素有很多，需要通過大量的實驗獲得優(yōu)化工藝。正交試驗是可以通過較少的試驗次數(shù)得到優(yōu)化試驗結(jié)果的一種科學(xué)方法，因而在很多領(lǐng)域獲得了廣泛的應(yīng)用。
　　本文采用正交試驗的方法，用感應(yīng)耦合等離子體(ICP)設(shè)

2、備，以SF6與O2作為刻蝕氣體，系統(tǒng)研究了大功率LED用SiC襯底刻蝕的工藝參數(shù)（包括ICP源功率、ICP偏壓功率、反應(yīng)室壓強(qiáng)、氣體總流量、氣體混合比）對SiC刻蝕速率及表面缺陷密度的影響，獲得現(xiàn)有條件下刻蝕優(yōu)化參數(shù)。優(yōu)化參數(shù)如下，ICP源功率700W，ICP偏壓功率400W，反應(yīng)室壓強(qiáng)1.5Pa，SF6氣體流量為16sccm，O2氣體流量為4sccm，在此參數(shù)下，刻蝕速度為823nm/min，實驗結(jié)果表明，優(yōu)化條件的樣品經(jīng)金相顯微鏡觀